[實用新型]存儲結構

有效

• 申請號: 201920832133.3
• 申請日: 2019-06-04
• 公開（公告）號: CN210272356U
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤;高德志

一種存儲結構，包括：位于每個有源區中的沿行方向分布的兩個第二凹槽，所述兩個第二凹槽將每個有源區分成位于中間的漏極和分別位于漏極兩側的兩個源極，且所述兩個第二凹槽分別位于第二抗刻蝕介電層兩側，所述絕緣層的表面低于第二凹槽的底部表面；位于第一抗刻蝕介電層和第二抗刻蝕介電層之間的絕緣層上的第三凹槽，所述第三凹槽至少暴露出第二凹槽底部的有源區兩側側壁的部分表面以及第二凹槽兩側的源極和漏極側壁的部分表面的，所述第三凹槽與相應的第二凹槽連通；位于所述第二凹槽和第三凹槽中柵極結構。本實用新型的存儲結構減小了漏電流的大小。

技術領域

本實用新型涉及存儲器領域，尤其涉及一種存儲結構。

背景技術

動態隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是計算機中常用的半導體存儲器件，由許多重復的存儲單元組成。每個存儲單元通常包括電容器和晶體管，晶體管的柵極與字線相連、漏極與位線相連、源極與電容器相連，字線上的電壓信號能夠控制晶體管的打開或關閉，進而通過位線讀取存儲在電容器中的數據信息，或者通過位線將數據信息寫入到電容器中進行存儲。

但是現有的存儲器中由電容器和晶體管組成的存儲結構存在漏電流的問題，存儲器的性能仍有待提升。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是減小存儲器中由電容器和晶體管組成的存儲結構的漏電流。

為此，本實用新型提供了一種存儲結構，包括：

半導體襯底，所述半導體襯底上形成有行列排布的若干分立的有源區，相鄰有源區之間具有第一凹槽，所述第一凹槽包括沿列方向排布的若干第一溝槽以及沿行方向排布的若干第二溝槽，所述第一溝槽中填充滿絕緣層，所述第二溝槽中填充有第一抗刻蝕介電層；

位于所述相鄰第一抗刻蝕介電層之間的有源區的側壁表面和絕緣層中的第二抗刻蝕介電層；

位于每個有源區中的沿行方向分布的兩個第二凹槽，所述兩個第二凹槽將每個有源區分成位于中間的漏極和分別位于漏極兩側的兩個源極，且所述兩個第二凹槽分別位于第二抗刻蝕介電層兩側，所述絕緣層的表面低于第二凹槽的底部表面；

位于第一抗刻蝕介電層和第二抗刻蝕介電層之間的絕緣層上的第三凹槽，所述第三凹槽至少暴露出第二凹槽底部的有源區兩側側壁的部分表面以及第二凹槽兩側的源極和漏極側壁的部分表面，所述第三凹槽與相應的第二凹槽連通；

位于所述第二凹槽和第三凹槽中柵極結構。

可選的，所述第一刻蝕介電層和第二抗刻蝕介電層的材料與絕緣層的材料不相同。

可選的，所述第一刻蝕介電層和第二抗刻蝕介電層的深度大于第三凹槽和第二凹槽的總深度。

可選的，所述第二溝槽底部的長條形主動區和絕緣層中具有第三溝槽，所述第三溝槽沿行方向上的尺寸大于第二溝槽沿行方向上的尺寸；所述第三溝槽底部的長條形主動區和絕緣層中具有第四溝槽，第一抗刻蝕介電層位于所述第四溝槽、第三溝槽和第二溝槽中。

可選的，所述第三凹槽不僅暴露出第二凹槽底部的有源區兩側側壁的部分表面以及第二凹槽兩側的源極和漏極側壁的部分表面，所述第三凹槽還暴露出第二溝槽或者第三溝槽的部分側壁表面，或者有源區的遠離第二凹槽一側側壁的部分表面。

可選的，所述第三凹槽僅暴露出第二凹槽底部的有源區兩側側壁的部分表面以及第二凹槽兩側的源極和漏極側壁的部分表面。

可選的，所述柵極結構包括：位于所述第二凹槽和第三凹槽側壁表面的柵介質層；位于所述柵介質層上且填充滿第二凹槽和第三凹槽的柵極。

可選的，還包括：與柵極連接的位線；位于所述絕緣層上且與源極連接的電容器；位于所述絕緣層上且與漏極連接的位線。