[實用新型]一種氣體傳感器及傳感器陣列

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201920815544.1
• 申請日: 2019-05-31
• 公開（公告）號: CN210136193U
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 許磊;彭書峰;陳棟梁;榮錢;周睿穎
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥微納傳感技術(shù)有限公司
• 主分類號: G01N27/04
• 分類號: G01N27/04
• 代理公司: 北京安信方達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262
• 代理人: 解婷婷;栗若木

1.一種氣體傳感器，其特征在于，包括：

第一襯底，設(shè)置在所述第一襯底上的氣體檢測組件、所述氣體傳感器的多個第一引腳，以及用于保護所述氣體檢測組件的封裝蓋帽，其中：

所述氣體檢測組件直接或間接通過電極引線與所述第一引腳電連接，所述氣體檢測組件、所述電極引線和所述第一引腳設(shè)置在所述第一襯底的同一面；所述封裝蓋帽鍵合在所述第一襯底上，所述第一引腳裸露在所述封裝蓋帽之外。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體傳感器，其特征在于，

所述第一襯底包括以下之一：硅基襯底、設(shè)置有含硅層的金屬襯底、設(shè)置有含硅層的金屬氧化物襯底、設(shè)置有含硅層的陶瓷襯底。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氣體傳感器，其特征在于，其中，所述第一襯底的第一表面開設(shè)有第一空腔，所述第一空腔的開口處設(shè)置有支撐體，所述氣體檢測組件設(shè)置在所述支撐體上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣體傳感器，其特征在于，

所述封裝蓋帽朝向所述第一襯底的一面開設(shè)有第二空腔，所述封裝蓋帽背向所述第一襯底的一面開設(shè)有一個或多個探測氣孔，所述第二空腔與所述探測氣孔貫通，所述第二空腔在所述封裝蓋帽朝向所述第一襯底的表面的開口面積大于或等于所述第一空腔在所述第一襯底朝向所述封裝蓋帽的表面的開口面積；或者，

所述封裝蓋帽包括第二襯底，所述第二襯底朝向所述第一襯底的一面開設(shè)有第二空腔，所述第二襯底背向所述第一襯底的一面設(shè)置有薄膜蓋板，所述薄膜蓋板上開設(shè)有一個或多個探測氣孔，所述第二空腔與所述探測氣孔貫通，所述第二空腔在所述第二襯底朝向所述第一襯底的表面的開口面積大于或等于所述第一空腔在所述第一襯底朝向所述封裝蓋帽的表面的開口面積，所述第二空腔的深度等于所述第二襯底的厚度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體傳感器，其特征在于，

所述第一引腳設(shè)置在所述封裝蓋帽的一側(cè)或者分別設(shè)置在所述封裝蓋帽的多側(cè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體傳感器，其特征在于，

所述第一襯底上還設(shè)置有專用集成電路ASIC芯片，所述氣體檢測組件通過第二引腳、所述ASIC芯片與所述第一引腳實現(xiàn)電連接，所述ASIC芯片設(shè)置在所述封裝蓋帽之內(nèi)或者裸露在所述封裝蓋帽之外。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氣體傳感器，其特征在于，

所述ASIC芯片是基于所述第一襯底制造的。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體傳感器，其特征在于，

所述第一襯底上設(shè)置有用于保護裸露在封裝蓋帽外的電極引線的膜層結(jié)構(gòu)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的氣體傳感器，其特征在于，

所述膜層結(jié)構(gòu)為氧化硅膜或氮化硅膜或由氧化硅和氮化硅組成的復(fù)合膜。

10.一種氣體傳感器陣列，其特征在于，所述傳感器陣列包括多個如權(quán)利要求1-9中任一項所述的氣體傳感器，所述氣體傳感器陣列中的氣體傳感器的氣敏材料相同或不同。