[實(shí)用新型]倒裝發(fā)光二極管芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201920814528.0
• 申請(qǐng)日: 2019-05-31
• 公開（公告）號(hào): CN209896104U
• 公開（公告）日: 2020-01-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉巖;閆寶玉;劉宇軒;陳順利
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 大連德豪光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/62
• 分類號(hào): H01L33/62;H01L33/00
• 代理公司: 44224 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 郭瑋

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N倒裝發(fā)光二極管芯片，每個(gè)焊料凸點(diǎn)遠(yuǎn)離襯底的表面為平面，可以使得在焊接時(shí)增加焊料凸點(diǎn)的接頭接觸面積。從而使得接頭的接觸面增加，形成牢固的焊接接頭，來提高作業(yè)精度，提高了產(chǎn)品良率，節(jié)約了成本。同時(shí)，P電極包括至少一層凸點(diǎn)下金屬化層，N電極包括至少一層凸點(diǎn)下金屬化層。凸點(diǎn)下金屬化層可以使得多個(gè)焊料凸點(diǎn)分別與P電極和N電極接觸時(shí)，潤(rùn)濕增加粘附性，并阻擋多個(gè)焊料凸點(diǎn)的焊料繼續(xù)向下侵入。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種倒裝發(fā)光二極管芯片。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管(Light-Emitting Diode，LED)是一種能將電轉(zhuǎn)化為光的半導(dǎo)體電子元件，可廣泛用于顯示器，汽車燈，通用照明等領(lǐng)域。倒裝LED芯片因其具有高功率、散熱好等特點(diǎn)，逐漸成為市場(chǎng)主流產(chǎn)品。實(shí)現(xiàn)倒裝LED芯片與基板(支架)間的焊接，常用的是金屬與金屬之間的共晶焊接工藝。常用的方法有助焊劑與焊料進(jìn)行共晶回流焊(支架封裝)、金錫合金的共晶回流焊工藝(基板封裝)。

經(jīng)過回流焊或真空回流焊后，焊料凸點(diǎn)經(jīng)過高溫固化后，受表面張力的影響，其表面呈半球形，即錫球。半球形的焊料凸點(diǎn)，不利于倒裝LED芯片后段的測(cè)試、分選，以及LED芯片固晶。傳統(tǒng)的倒裝發(fā)光二極管芯片的焊料凸點(diǎn)厚度不均勻，導(dǎo)致在焊接時(shí)電極與焊接接頭的接觸面小，焊接接頭不牢固，從而導(dǎo)致作業(yè)精度低。

實(shí)用新型內(nèi)容

基于此，有必要針對(duì)傳統(tǒng)的倒裝發(fā)光二極管芯片的焊料凸點(diǎn)厚度不均勻、焊接不牢固的問題，提供一種焊料凸點(diǎn)表面平整、焊接牢固的倒裝發(fā)光二極管芯片。

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N倒裝發(fā)光二極管芯片包括襯底、N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、P型半導(dǎo)體層、P電極、N電極以及多個(gè)焊料凸點(diǎn)。所述襯底表面依次設(shè)置有所述N型半導(dǎo)體層、所述發(fā)光層、所述P型半導(dǎo)體層以及所述P電極。所述N型半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述襯底表面設(shè)置有所述N電極。一個(gè)所述焊料凸點(diǎn)設(shè)置于一個(gè)所述P電極遠(yuǎn)離所述P型半導(dǎo)體層的表面。一個(gè)所述焊料凸點(diǎn)設(shè)置于一個(gè)所述N電極遠(yuǎn)離所述N型半導(dǎo)體層的表面。每個(gè)所述焊料凸點(diǎn)遠(yuǎn)離所述襯底的表面為平面。所述P電極包括至少一層凸點(diǎn)下金屬化層，所述N電極包括至少一層凸點(diǎn)下金屬化層。

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N上述倒裝發(fā)光二極管芯片，每個(gè)所述焊料凸點(diǎn)遠(yuǎn)離所述襯底的表面為平面。也就是說，每個(gè)所述焊料凸點(diǎn)的形狀為平頭凸點(diǎn)焊料。具體地，每個(gè)所述焊料凸點(diǎn)的形狀可以為圓柱體、正方體、長(zhǎng)方體等形狀。從而，使得所述焊料凸點(diǎn)分別與所述P電極和所述N電極形成所述倒裝發(fā)光二極管芯片的芯片電極，用于所述倒裝發(fā)光二極管芯片的連接。每個(gè)所述焊料凸點(diǎn)遠(yuǎn)離所述襯底的表面為平面，可以使得所述倒裝發(fā)光二極管芯片在焊接時(shí)增加所述焊料凸點(diǎn)的接頭接觸面積。從而在焊接時(shí)，當(dāng)施加壓力通過接頭的接觸面增加，形成牢固的焊接接頭，來提高作業(yè)精度，提高了產(chǎn)品良率，節(jié)約了成本。

同時(shí)，所述凸點(diǎn)下金屬化層可以使得多個(gè)所述焊料凸點(diǎn)分別與所述P電極和所述N電極接觸時(shí)，潤(rùn)濕增加粘附性。同時(shí)，所述凸點(diǎn)下金屬化層還可以阻擋多個(gè)所述焊料凸點(diǎn)的焊料繼續(xù)向下侵入。

附圖說明

圖1為本申請(qǐng)?zhí)峁┑牡寡b發(fā)光二極管芯片的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本申請(qǐng)?zhí)峁┑牡寡b發(fā)光二極管芯片的整體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊粋€(gè)實(shí)施例中倒裝發(fā)光二極管芯片的焊料凸點(diǎn)俯視示意圖；

圖4為本申請(qǐng)?zhí)峁┑腜電極的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本申請(qǐng)?zhí)峁┑牡谝谎趸钃鯇拥钠拭娼Y(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本申請(qǐng)?zhí)峁┑牡谝谎趸钃鯇优c第一潤(rùn)濕層的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本申請(qǐng)?zhí)峁┑牡谝谎趸钃鯇印⒌谝粷?rùn)濕層與第一焊料阻擋層的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊粋€(gè)實(shí)施例中P電極的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；