[實用新型]晶圓電鍍裝置

有效

• 申請號: 201920809928.2
• 申請日: 2019-05-30
• 公開（公告）號: CN210215581U
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發明（設計）人: 王金崗;薛超;林宗賢
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: C25D7/12
• 分類號: C25D7/12;C25D17/00
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 王宏婧

1.一種晶圓電鍍裝置，其特征在于，包括：腔體、高電阻虛擬陽極及陽極電極，所述高電阻虛擬陽極和所述陽極電極均設于所述腔體內，所述高電阻虛擬陽極沿所述腔體的徑向設置，其中，所述高電阻虛擬陽極內部具有一容置腔，且所述高電阻虛擬陽極沿所述腔體軸向的第一表面和第二表面均呈外凸的弧形，所述第一表面具有至少三個第一通孔，所述第二表面具有至少三個第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔均與所述容置腔連通。

2.根據權利要求1所述的晶圓電鍍裝置，其特征在于，所述高電阻虛擬陽極包括：第一部件及第二部件，所述第一部件與所述第二部件相對設置且所述第一部件較所述第二部件靠近所述陽極電極，所述容置腔位于所述第一部件及所述第二部件之間，背離所述容置腔的所述第一部件的表面為所述第一表面，背離所述容置腔的所述第二部件的表面為所述第二表面，所述第一通孔貫穿所述第一部件與所述容置腔連通，所述第二通孔貫穿所述第二部件與所述容置腔連通。

3.根據權利要求2所述的晶圓電鍍裝置，其特征在于，所述第一表面設有排氣槽，所述排氣槽延伸至所述腔體外。

4.根據權利要求2所述的晶圓電鍍裝置，其特征在于，所述第二通孔呈柱體狀，所述第二通孔的軸線平行于所述腔體的軸線。

5.根據權利要求2所述的晶圓電鍍裝置，其特征在于，所述第一通孔呈柱體狀，所述第一通孔包括靠近所述容置腔的第一端和遠離所述容置腔的第二端，所述第一端較所述第二端靠近所述腔體的軸線。

6.根據權利要求5所述的晶圓電鍍裝置，其特征在于，各所述第一通孔的軸線與所述腔體的軸線構成的夾角的角度介于0°～30°。

7.根據權利要求1-6中任一項所述的晶圓電鍍裝置，其特征在于，所述第一通孔與所述第二通孔的徑向寬度均介于0.5mm～2.0mm；相鄰的兩個所述第一通孔之間的間距介于0.5mm～2.0mm；相鄰的兩個所述第二通孔之間的間距介于0.5mm～2.0mm。

8.根據權利要求1所述的晶圓電鍍裝置，其特征在于，所述容置腔的高度介于0.5cm～3.0cm。

9.根據權利要求1所述的晶圓電鍍裝置，其特征在于，所述高電阻虛擬陽極的第一表面和第二表面對應的圓弧角的角度均介于5°～30°。

10.根據權利要求1所述的晶圓電鍍裝置，其特征在于，所述晶圓電鍍裝置還包括：密封組件，所述密封組件設于所述高電阻虛擬陽極的徑向邊緣，且與所述腔體側壁貼合，以對所述高電阻虛擬陽極和所述腔體之間的間隙處進行密封。

11.根據權利要求1所述的晶圓電鍍裝置，其特征在于，所述晶圓電鍍裝置還包括：晶圓支撐架，所述晶圓支撐架沿所述腔體的周向設置，所述高電阻虛擬陽極位于所述晶圓支撐架和所述陽極電極之間。