[實(shí)用新型]發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)和照明設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201920803489.4
• 申請(qǐng)日: 2019-05-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN210006758U
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-01-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 肖經(jīng);張宇;朱新鋒;劉振錡;薛菲;蔡凱達(dá);陳金濤;張中陽(yáng)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 桂林電子科技大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/48
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/48;H01L33/60;H01L33/62;H01L33/64;H01L25/075;F21V19/00;F21Y115/10
• 代理公司: 11343 北京友聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 尚志峰;汪海屏

本實(shí)用新型提供了一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)和照明設(shè)備，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包括基體、多個(gè)發(fā)光組件和封裝體；基體呈柱狀，并設(shè)置有多個(gè)側(cè)壁，多個(gè)側(cè)壁沿基體的周向分布；多個(gè)發(fā)光組件分別設(shè)置于多個(gè)側(cè)壁上，多個(gè)發(fā)光組件中的任一發(fā)光組件包括導(dǎo)電層和發(fā)光二極管，導(dǎo)電層貼合于多個(gè)側(cè)壁上，發(fā)光二極管安裝于側(cè)壁上，發(fā)光二極管的電極與導(dǎo)電層相連接；封裝體包覆于多個(gè)發(fā)光組件的外側(cè)。本實(shí)用新型所提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，多個(gè)發(fā)光組件分別設(shè)置在多個(gè)側(cè)壁上，使得發(fā)光組件的朝向不同方向，進(jìn)而減少相鄰的發(fā)光組件之間的光吸收，提升了對(duì)光的利用率。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及發(fā)光二極管封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)和照明設(shè)備。

背景技術(shù)

目前，在人們的日常生活中，LED(Light Emitting Diode，發(fā)光二極管)被越來(lái)越多地應(yīng)用到照明領(lǐng)域中。

在相關(guān)技術(shù)中，LED照明設(shè)備為板狀結(jié)構(gòu)，即將LED封裝于板狀基體的一個(gè)平面上，但該種封裝方式使得相鄰的LED之間光吸收嚴(yán)重，并且照明設(shè)備的照明角度有限，照明范圍較小。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)或相關(guān)技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題之一。

為此，本實(shí)用新型的第一方面提出一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。

本實(shí)用新型的第二方面提出一種照明設(shè)備。

有鑒于此，本實(shí)用新型的第一方面提供了一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包括基體、多個(gè)發(fā)光組件和封裝體；基體呈柱狀，并設(shè)置有多個(gè)側(cè)壁，多個(gè)側(cè)壁沿基體的周向分布；多個(gè)發(fā)光組件分別設(shè)置于多個(gè)側(cè)壁上，多個(gè)發(fā)光組件中的任一發(fā)光組件包括導(dǎo)電層和發(fā)光二極管，導(dǎo)電層貼合于多個(gè)側(cè)壁上，發(fā)光二極管安裝于側(cè)壁上，發(fā)光二極管的電極與導(dǎo)電層相連接；封裝體包覆于多個(gè)發(fā)光組件的外側(cè)。

本實(shí)用新型所提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，基體呈柱狀，并且具備多個(gè)側(cè)壁，多個(gè)發(fā)光組件分別設(shè)置在多個(gè)側(cè)壁上，使得發(fā)光組件的朝向不同方向，進(jìn)而減少相鄰的發(fā)光組件之間的光吸收，提升了對(duì)光的利用率，進(jìn)而使得發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)在具備同樣數(shù)量發(fā)光組件的情況下，發(fā)出更高的亮度。并且由于發(fā)光組件設(shè)置在多個(gè)側(cè)壁上，使得發(fā)光組件的朝向不同方向，進(jìn)而增大發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的出光角度，提升了發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的照明范圍。發(fā)光組件包括導(dǎo)電層和發(fā)光二極管，導(dǎo)電層設(shè)置于基體的側(cè)壁上，通過(guò)蝕刻的方式形成，用以將電能傳遞至發(fā)光二極管。封裝體包覆于發(fā)光二極管的外側(cè)，用以保護(hù)發(fā)光二極管，并可增加發(fā)光二極管的散熱速度。

另外，本實(shí)用新型提供的上述技術(shù)方案中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)還可以具有如下附加技術(shù)特征：

在上述技術(shù)方案中，優(yōu)選地，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)還包括反射導(dǎo)熱層，反射導(dǎo)熱層設(shè)置于導(dǎo)電層上，發(fā)光二極管的電極穿過(guò)反射導(dǎo)熱層后與導(dǎo)電層相連接。

在該技術(shù)方案中，反射導(dǎo)熱層同時(shí)具備良好的導(dǎo)熱性和高反射率，良好的導(dǎo)熱性可將發(fā)光二極管所產(chǎn)生的熱量均勻地傳遞至基體，不僅提升額對(duì)發(fā)光二極管的散熱效果，還可避免基體局部過(guò)熱；高反射率使得反射導(dǎo)熱層可將發(fā)光二極管所發(fā)出的光發(fā)射至遠(yuǎn)離基體的方向，進(jìn)而提升發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的照明強(qiáng)度，減少發(fā)光二極管所發(fā)出的光被基體吸收。

在上述任一技術(shù)方案中，優(yōu)選地，基體為氮化鋁陶瓷基體。

在該技術(shù)方案中，氮化鋁陶瓷作為基體，與三氧化二鋁基體相比，具備更高的耐熱性和導(dǎo)熱性，使得傳遞至基體上的熱量分布更加均勻，散熱更加快速，避免基體局部過(guò)熱；并且氮化鋁陶瓷基體的熱膨脹系數(shù)與發(fā)光二極管的熱膨脹系數(shù)相接近，在基體和發(fā)光二極管的溫度升高后，基體和發(fā)光二極管的形變量基本一致，進(jìn)而減小了基體和發(fā)光二極管之間的應(yīng)力，避免發(fā)光二極管失效，延長(zhǎng)發(fā)光二極管的使用壽命。氮化鋁陶瓷基體與氧化硼基體相比，無(wú)毒無(wú)害，更加環(huán)保。

具體地，氮化鋁陶瓷基體的熱膨脹系數(shù)與發(fā)光二極管的材料中硅 (Si)和砷化鎵(GaAs)等材料匹配。