[實用新型]集成無源器件IPD管芯

有效

• 申請號: 201920780908.7
• 申請日: 2018-08-15
• 公開（公告）號: CN210200731U
• 公開（公告）日: 2020-03-27
• 發明（設計）人: 野間崇;秀行豬爪;和央岡田
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L23/498
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 張丹

1.一種集成無源器件IPD管芯，包括：

具有背面和正面的襯底，所述襯底具有磨削到小于初始的襯底的厚度的四分之三的厚度；

絕緣體材料層，所述絕緣體材料層設置在所述襯底的正面上；

無源器件，所述無源器件包括電感器、電阻器和電容器中的至少一個，所述無源器件被所述絕緣體材料層完全包圍，

所述無源器件具有設置在暴露端子和另一端子之間的器件結構；和

貫穿襯底通孔TSV，所述貫穿襯底通孔從所述襯底的背面朝所述襯底的正面表面延伸到所述絕緣體材料層中的絕緣體材料腔中，所述絕緣體材料腔暴露由所述絕緣體材料層完全包圍的無源器件的端子，所述TSV限定通向由設置在所述襯底的正面上的絕緣體材料層完全包圍的無源器件的暴露端子的互連通路。

2.根據權利要求1所述的IPD管芯，其中所述TSV是漸縮TSV，所述漸縮TSV具有漸縮壁，所述漸縮壁從較寬的表面開口向較窄的TSV底部傾斜。

3.根據權利要求2所述的IPD管芯，還包括：銅層，所述銅層設置在所述襯底的所述背面上以及沿著所述漸縮壁并在所述TSV底部上設置在所述TSV中，所述銅層限定對嵌入在所述絕緣體材料中的所述無源器件的端子的電連接。

4.如權利要求3所述的IPD管芯，還包括：

阻焊層；和，

晶圓凸塊，所述晶圓凸塊與所述銅層接觸。

5.根據權利要求1所述的IPD管芯，其中所述器件結構包括以下中的至少一個：

電感器的感應導線或線結構，

電阻器的電阻材料墊，和

電容器的電容器間隙材料墊。

6.根據權利要求1所述的IPD管芯，其中所述TSV是干法蝕刻的。

7.根據權利要求1所述的IPD管芯，其中所述IPD管芯使用導電環氧樹脂或使用晶圓凸塊焊料耦接到包括在板上的導電墊。

8.一種集成無源器件IPD管芯，包括：

至少一個無源部件，所述至少一個無源部件完全嵌入在設置在襯底的正面上的絕緣體材料層中；

貫穿襯底通孔TSV，從所述襯底的背面朝所述襯底的正面延伸；以及

銅層，所述銅層設置在所述襯底的背面上以及所述TSV中，

所述銅層限定穿過所述TSV的對完全嵌入在所述絕緣體材料中的所述至少一個無源部件的端子的電連接。

9.根據權利要求8所述的IPD管芯，其中所述襯底具有小于所述襯底的初始厚度的四分之三的厚度。

10.根據權利要求8所述的IPD管芯，其中所述IPD管芯使用導電環氧樹脂或使用晶圓凸塊焊料耦接到包括在板上的導電墊。