[實用新型]高動態范圍背照式電荷域相關雙采樣全局圖像傳感器像素

有效

• 申請號: 201920764785.8
• 申請日: 2019-05-24
• 公開（公告）號: CN210469538U
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發明（設計）人: 葛光;吳憲嶺
• 申請（專利權）人: 上海礪芯微電子有限公司
• 主分類號: H04N5/355
• 分類號: H04N5/355;H04N5/378
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102
• 代理人: 李丹

1.一種高動態范圍背照式電荷域相關雙采樣全局圖像傳感器像素，其特征在于，包括：

用于感測光信號生成電荷的光電二極管，用于暫時存儲光電二極管中產生的電荷的第一電荷存儲單元、第二電荷存儲單元和第三電荷存儲單元，用于同步電荷存儲單元中存儲的電荷的數量的改變量的輔助電荷存儲單元；

所述光電二極管分別與第一電荷存儲單元、第二電荷存儲單元和第三電荷存儲單元的一端連接，輔助電荷存儲單元與第一電荷存儲單元、第二電荷存儲單元和第三電荷存儲單元的另一端連接。

2.根據權利要求1所述的高動態范圍背照式電荷域相關雙采樣全局圖像傳感器像素，其特征在于，所述圖像傳感器像素還包括浮置擴散區。

3.根據權利要求1所述的高動態范圍背照式電荷域相關雙采樣全局圖像傳感器像素，其特征在于，所述圖像傳感器像素還包括用于將生成電荷從光電二極管轉移至電荷存儲單元的傳輸晶體管。

4.根據權利要求1所述的高動態范圍背照式電荷域相關雙采樣全局圖像傳感器像素，其特征在于，所述圖像傳感器像素還包括用于控制電荷從電荷存儲單元及輔助電荷存儲單元往浮置擴散區轉移的傳輸晶體管。

5.根據權利要求1所述的高動態范圍背照式電荷域相關雙采樣全局圖像傳感器像素，其特征在于，所述圖像傳感器像素中電荷存儲單元和輔助電荷存儲單元為同時具備電荷存儲和電荷轉移控制功能的電荷存儲單元。

6.根據權利要求1所述的高動態范圍背照式電荷域相關雙采樣全局圖像傳感器像素，其特征在于，所述圖像傳感器像素還包括像素電源VDD以及位于光電二極管PD1和像素電源VDD之間用于控制電荷從光電二極管PD1往像素電源VDD轉移的傳輸晶體管。