[實用新型]一種薄膜腔聲諧振濾波器有效
| 申請號: | 201920749416.1 | 申請日: | 2019-05-23 |
| 公開(公告)號: | CN209897019U | 公開(公告)日: | 2020-01-03 |
| 發明(設計)人: | 黃向向;楊敏;道格拉斯·雷·斯巴克斯;關健 | 申請(專利權)人: | 罕王微電子(遼寧)有限公司 |
| 主分類號: | H03H9/56 | 分類號: | H03H9/56;H03H9/58;H03H3/02 |
| 代理公司: | 21001 沈陽晨創科技專利代理有限責任公司 | 代理人: | 張晨 |
| 地址: | 113000 遼寧省撫順*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 蓋帽 金屬層 壓電層 腔體 通孔 吸氣 焊接凸點 第一層 鍵合 薄膜 濾波器 金屬 本實用新型 產品可靠性 方案結構 鍵合工藝 刻蝕工藝 制備工藝 薄膜腔 聲諧振 | ||
1.一種薄膜腔聲諧振濾波器,其特征在于:所述的薄膜腔聲諧振濾波器,包括器件主部分(1),蓋帽部分(2),第一層金屬層(3),壓電層(4),金屬層(5),第二層壓電層(6),鍵合金屬(7),吸氣薄膜(8),通孔部分(9),焊接凸點(10),腔體一(11),腔體二(12);
其中:蓋帽部分(2)內部上面設置有吸氣薄膜(8),蓋帽部分(2)上帶有通孔部分(9),焊接凸點(10)位于通孔部分(9)上方;第二層壓電層(6)、金屬層(5)和鍵合金屬(7)設置在器件主部分(1)和蓋帽部分(2)之間,器件主部分(1)和蓋帽部分(2)之間通過鍵合工藝結合在一起;第一層金屬層(3)和壓電層(4)設置在器件主部分(1)上,腔體一(11)位于器件主部分(1)內,腔體二(12)位于蓋帽部分(2)內,均為刻蝕工藝形成。
2.按照權利要求1所述的薄膜腔聲諧振濾波器,其特征在于:所述的器件主部分(1)為硅晶圓、CMOS集成電路、玻璃晶圓、或是SOI晶圓;蓋帽部分(2)為硅晶圓、玻璃晶圓或SOI晶圓;玻璃晶圓:蓋帽部分能是玻璃晶圓,在玻璃晶圓蓋帽內部對著CMOS晶圓部分沉積金屬;通孔部分(9)時,通孔能是垂直的,也能做成有帶有傾斜角度的斜面結構。
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