[實用新型]一種可在小電流密度下提升發光效能的外延結構有效
| 申請號： | 201920749003.3 | 申請日： | 2019-05-22 |
| 公開（公告）號： | CN209822674U | 公開（公告）日： | 2019-12-20 |
| 發明（設計）人： | 仇美懿;莊家銘 | 申請（專利權）人： | 佛山市國星半導體技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/14 | 分類號： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 44202 廣州三環專利商標代理有限公司 | 代理人： | 胡楓 |
| 地址： | 528200 廣東省佛山市南海區獅*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 均化 阱層 源區 本實用新型 半導體層 小電流 高電阻率材料 發光效能 橫向擴展 間隔設置 擴散效應 外延結構 依次設置 藍光LED 光效 基底 壘層 擁堵 摻雜 | ||
1.一種可在小電流密度下提升發光效能的外延結構，用于藍光LED，其包括依次設置于基底上的第一半導體層，有源區和第二半導體層；其特征在于，所述有源區包括相互間隔設置的至少一層壘層與至少一層阱層；
所述阱層包括第一N-GaN層，設于所述第一N-GaN層上的電流均化層，以及設于所述電流均化層上的第二N-GaN層；
所述電流均化層通過在GaN中摻雜電阻率＞2.4×10-6Ω·cm的高電阻率材料形成。
2.如權利要求1所述的可在小電流密度下提升發光效能的外延結構，其特征在于，所述高電阻率材料選自Al、B、Mg、氮化硅中的一種或多種；
所述電流均化層的電阻率＞109Ω·cm。
3.如權利要求1所述的可在小電流密度下提升發光效能的外延結構，其特征在于，所述阱層包括第一N-GaN層，設于所述第一N-GaN層上的電流均化層，設于所述電流均化層上的U-GaN層和設于所述U-GaN層上的第二N-GaN層。
4.如權利要求3所述的可在小電流密度下提升發光效能的外延結構，其特征在于，所述阱層包括第一N-GaN層、第二N-GaN層，以及設于所述第一N-GaN層與第二N-GaN層之間的相互間隔設置的至少一層U-GaN層與至少一層電流均化層。
5.如權利要求3所述的可在小電流密度下提升發光效能的外延結構，其特征在于，所述電流均化層中高電阻率材料的含量由所述第一N-GaN層到所述第二N-GaN層之間呈遞減變化；
所述遞減變化為連續變化、梯度變化或混合梯度變化。
6.如權利要求3所述的可在小電流密度下提升發光效能的外延結構，其特征在于，各壘層中高電阻率材料的含量從所述第一半導體層到所述第二半導體層之間呈遞減變化；
所述遞減變化為連續變化、梯度變化或混合梯度變化。
7.如權利要求3-6任一項所述的可在小電流密度下提升發光效能的外延結構，其特征在于，所述電流均化層為AlGaN層，其中Al的含量≤5wt％。
8.如權利要求7所述的可在小電流密度下提升發光效能的外延結構，其特征在于，所述N-GaN層的電阻率≤3Ω·cm；
所述U-GaN層的電阻率為10000-50000Ω·cm。
9.如權利要求3所述的可在小電流密度下提升發光效能的外延結構，其特征在于，所述第一N-GaN層與第二N-GaN的厚度為所述U-GaN層的厚度為所述電流均化層的厚度為
10.如權利要求4所述的可在小電流密度下提升發光效能的外延結構，其特征在于，所述第一N-GaN層與第二N-GaN的厚度為所述U-GaN層的厚度為所述電流均化層的厚度為
所述第一N-GaN層與第二N-GaN層之間的相互間隔設置的2-9層U-GaN層與3-8層電流均化層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于佛山市國星半導體技術有限公司，未經佛山市國星半導體技術有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201920749003.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
