[實用新型]一種雙面冷卻功率模塊的封裝結構

有效

• 申請號: 201920748999.6
• 申請日: 2019-05-23
• 公開（公告）號: CN209785916U
• 公開（公告）日: 2019-12-13
• 發明（設計）人: 張浩
• 申請（專利權）人: 張浩
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/373;H01L23/492;H01L25/18
• 代理公司: 32200 南京經緯專利商標代理有限公司
• 代理人: 唐循文

1.一種雙面冷卻功率模塊的封裝結構，其特征在于：包括底部基板和頂部基板，在底部基板上設有漏極端子，在頂部基板上設有源極端子和門極端子，在底部基板與頂部基板之間設有一層介電材料，在該層介電材料的中間設有空洞，功率器件放置在該空洞中，功率器件與介電材料之間填充絕緣材料，功率器件的頂部金屬板與頂部基板的下表面電連接，功率器件的底部金屬板與底部基板的上表面電連接，介電材料的上表面與頂部基板的下表面絕緣粘結，介電材料的下表面與底部基板的上表面絕緣粘結，功率器件的源極與頂部基板上的源極端子電連接，功率器件的門極與頂部基板上的門極端子電連接，功率器件的漏極與底部基板上的漏極端子電連接。

2.根據權利要求1所述雙面冷卻功率模塊的封裝結構，其特征在于：所述底部基板和頂部基板為DCB板或者為包含絕緣材料和導電材料的基板。

3.根據權利要求2所述雙面冷卻功率模塊的封裝結構，其特征在于：所述底部基板和頂部基板均包含三層，由下至上依次為底部鍍銅層、中間陶瓷層和頂部鍍銅層。

4.根據權利要求1所述雙面冷卻功率模塊的封裝結構，其特征在于：所述介電材料為LTCC。

5.根據權利要求1所述雙面冷卻功率模塊的封裝結構，其特征在于：功率器件與介電材料之間的絕緣材料為硅膠或樹脂。

6.根據權利要求1所述雙面冷卻功率模塊的封裝結構，其特征在于：功率器件的頂部金屬板與頂部基板的下表面以及功率器件的底部金屬板與底部基板的上表面通過導電鏈接材料實現電連接；功率器件上的源極、漏極和門極與兩基板上的源極端子、漏極端子和門極端子通過導電鏈接材料實現電連接。

7.根據權利要求6所述雙面冷卻功率模塊的封裝結構，其特征在于：所述導電鏈接材料為焊錫材料、微米銀漿、納米銀漿、微米銅漿或者納米銅漿。

8.根據權利要求1所述雙面冷卻功率模塊的封裝結構，其特征在于：介電材料的上表面與頂部基板的下表面以及介電材料的下表面與底部基板的上表面通過具有絕緣性能的粘性材料粘結，該粘性材料為硅膠或樹脂。

9.根據權利要求1所述雙面冷卻功率模塊的封裝結構，其特征在于：所述源極端子、漏極端子和門極端子由高導電導熱材料制成，且其表面鍍有金、銀、鎳或錫。

10.根據權利要求1所述雙面冷卻功率模塊的封裝結構，其特征在于：所述源極端子、漏極端子和門極端子延伸至底部基板和頂部基板之外，并與外部電路連接。