[實用新型]一種電流均勻的LED芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201920744014.2 | 申請日： | 2019-05-22 |
| 公開（公告）號： | CN209822677U | 公開（公告）日： | 2019-12-20 |
| 發(fā)明（設計）人： | 仇美懿;莊家銘 | 申請（專利權）人： | 佛山市國星半導體技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/36 | 分類號： | H01L33/36;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 44202 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 | 代理人： | 胡楓 |
| 地址： | 528200 廣東省佛山市南海區(qū)獅*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 導電薄膜層 芯片 發(fā)光 本實用新型 透明導電層 導電材料 不均勻 外延層 襯底 亮度均勻性 上導電薄膜 第二電極 第一電極 芯片電流 電阻率 | ||
【權利要求書】：
1.一種電流均勻的LED芯片，其特征在于，包括襯底，設置在襯底上的外延層，設置在外延層上的透明導電層、第一電極和第二電極，以及設置在透明導電層上導電薄膜層，所述導電薄膜層位于芯片發(fā)光不均勻處，所述導電薄膜層由導電材料制成。
2.如權利要求1所述的電流均勻的LED芯片，其特征在于，所述導電材料的電阻率為1*10-8-3*10-8歐姆/米。
3.如權利要求2所述的電流均勻的LED芯片，其特征在于，所述透明導電層的厚度小于500埃，透光率大于95％。
4.如權利要求3所述的電流均勻的LED芯片，其特征在于，所述導電材料為銀鋁合金。
5.如權利要求4所述的電流均勻的LED芯片，其特征在于，所述導電薄膜層的厚度為小于100埃。
6.如權利要求1所述的電流均勻的LED芯片，其特征在于，芯片發(fā)光不均處位于芯片的邊緣區(qū)域。
7.如權利要求6所述的電流均勻的LED芯片，其特征在于，芯片發(fā)光不均勻處的亮度比芯片的整體亮度低5％及以下。
8.如權利要求1所述的電流均勻的LED芯片，其特征在于，所述導電薄膜層的截面形狀為圓形、方形、三角形、同心圓或不規(guī)則形。
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