[實(shí)用新型]一種MOCVD反應(yīng)室有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201920738382.6 | 申請(qǐng)日: | 2019-05-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN210341058U | 公開(公告)日: | 2020-04-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉永明;馬旺;李毓鋒;王成新 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 山東浪潮華光光電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C16/455 | 分類號(hào): | C23C16/455;C23C16/46;C23C16/458 |
| 代理公司: | 濟(jì)南金迪知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37219 | 代理人: | 許德山 |
| 地址: | 261061 *** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 mocvd 反應(yīng) | ||
1.一種MOCVD反應(yīng)室,其特征在于,包括上蓋、側(cè)壁、底蓋、噴頭、托盤,所述上蓋、側(cè)壁、底蓋包圍形成反應(yīng)腔室,所述噴頭、托盤設(shè)置在所述反應(yīng)腔室內(nèi),所述底蓋上設(shè)置有尾氣出口,所述底蓋上還設(shè)置有所述托盤,所述側(cè)壁內(nèi)設(shè)置有所述噴頭,所述上蓋內(nèi)向下設(shè)置有頂部加熱器,所述底蓋上設(shè)置有兩個(gè)底部加熱器,兩個(gè)所述底部加熱器位于尾氣出口的兩側(cè),所述底部加熱器位于所述托盤與所述底蓋之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MOCVD反應(yīng)室,其特征在于,所述頂部加熱器與所述托盤之間的距離為1.5cm-5cm,所述底部加熱器與所述托盤之間的距離為1.5cm-5cm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種MOCVD反應(yīng)室,其特征在于,所述頂部加熱器與所述托盤之間的距離為3cm,所述底部加熱器與所述托盤之間的距離為2cm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MOCVD反應(yīng)室,其特征在于,所述上蓋內(nèi)通過(guò)吊架連接所述頂部加熱器,所述底蓋上通過(guò)支架支撐連接所述底部加熱器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MOCVD反應(yīng)室,其特征在于,所述底蓋上通過(guò)托盤承載架支撐連接所述托盤。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MOCVD反應(yīng)室,其特征在于,所述頂部加熱器及底部加熱器均包括片狀回形結(jié)構(gòu)的加熱片,加熱片的一端連接正極,加熱片的另一端連接負(fù)極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一所述的一種MOCVD反應(yīng)室,其特征在于,所述托盤上設(shè)有孔,托盤上設(shè)置的孔、底蓋上設(shè)置的尾氣出口與MOCVD反應(yīng)室腔內(nèi)連通,產(chǎn)生的尾氣依次通過(guò)托盤上設(shè)置的孔、底蓋上設(shè)置的尾氣出口排出。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的
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