[實用新型]平面光波導集成芯片

有效

• 申請號: 201920723321.2
• 申請日: 2019-05-20
• 公開（公告）號: CN210051922U
• 公開（公告）日: 2020-02-11
• 發明（設計）人: 吳凡;凌九紅;趙明璐
• 申請（專利權）人: 武漢光迅科技股份有限公司
• 主分類號: G02B6/12
• 分類號: G02B6/12
• 代理公司: 11270 北京派特恩知識產權代理有限公司
• 代理人: 崔曉嵐;張穎玲

1.一種平面光波導集成芯片，其特征在于，所述集成芯片包括襯底層、設于所述襯底層上的第一包覆層、第二包覆層和芯層，所述芯層位于所述第一包覆層和所述第二包覆層之間；

所述芯層包括平面光波導光路和包覆所述平面光波導光路的第三包覆層，所述第三包覆層位于所述第一包覆層與所述第二包覆層之間；

所述集成芯片具有至少兩個所述芯層。

2.根據權利要求1所述的平面光波導集成芯片，其特征在于，所述襯底層的一側形成所述第一包覆層與所述第二包覆層，所述第一包覆層與所述第二包覆層之間形成至少兩個所述芯層。

3.根據權利要求1所述的平面光波導集成芯片，其特征在于，所述襯底層的兩側均形成所述第一包覆層與所述第二包覆層，所述第一包覆層與所述第二包覆層之間形成至少一個所述芯層。

4.根據權利要求3所述的平面光波導集成芯片，其特征在于，所述第一包覆層與所述第二包覆層之間形成一個所述芯層，所述芯層還包括可變光衰減光路，所述可變光衰減光路的輸入端與所述平面光波導光路的輸出端連接。

5.根據權利要求1～3任意一項所述的平面光波導集成芯片，其特征在于，相鄰所述芯層的所述平面光波導光路呈環抱式設置。

6.根據權利要求1～4任意一項所述的平面光波導集成芯片，其特征在于，所述第三包覆層包括分層沉積的多個第一沉積層，所述第一沉積層的厚度為1μm～2μm。

7.根據權利要求6所述的平面光波導集成芯片，其特征在于，所述第三包覆層的厚度大于所述平面光波導光路的厚度，所述第三包覆層的厚度為4μm～6μm。

8.根據權利要求1～4任意一項所述的平面光波導集成芯片，其特征在于，所述第二包覆層包括分層沉積的多個第二沉積層，所述第二沉積層的厚度為2μm～4μm。

9.根據權利要求1～4任意一項所述的平面光波導集成芯片，其特征在于，所述第一包覆層、所述第二包覆層的厚度范圍均為15μm～20μm。

10.根據權利要求1～4任意一項所述的平面光波導集成芯片，其特征在于，所述集成芯片的材質選自硅-二氧化硅、鈮酸鋰、聚合物、Ⅲ-Ⅴ族半導體化合物中的一種。