[實(shí)用新型]具有抗指紋功能的高介電常數(shù)的陶瓷蓋板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201920720074.0 | 申請日: | 2019-05-17 |
| 公開(公告)號: | CN210157510U | 公開(公告)日: | 2020-03-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄭威;李錦干;徐華畢 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市華爾利泰電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H05K5/02 | 分類號: | H05K5/02;H05K5/03 |
| 代理公司: | 深圳正和天下專利代理事務(wù)所(普通合伙) 44581 | 代理人: | 楊波 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 指紋 功能 介電常數(shù) 陶瓷 蓋板 | ||
1.一種具有抗指紋功能的高介電常數(shù)的陶瓷蓋板,其特征在于,包括陶瓷材質(zhì)的基板(1),以及依次在所述基板(1)上沉積形成的Parylene膜層(2)、InSn膜層(3)、SIO2膜層(4)、以及AF膜層(5)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有抗指紋功能的高介電常數(shù)的陶瓷蓋板,其特征在于,所述Parylene膜層(2)采用CVD沉積的方式形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有抗指紋功能的高介電常數(shù)的陶瓷蓋板,其特征在于,所述Parylene膜層(2)的厚度范圍為3-10μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有抗指紋功能的高介電常數(shù)的陶瓷蓋板,其特征在于,所述InSn膜層(3)、SIO2膜層(4)、以及AF膜層(5)均采用PVD沉積的方式形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有抗指紋功能的高介電常數(shù)的陶瓷蓋板,其特征在于,所述InSn膜層(3)的厚度范圍為5-10nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有抗指紋功能的高介電常數(shù)的陶瓷蓋板,其特征在于,所述SIO2膜層(4)的厚度范圍為30-100nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有抗指紋功能的高介電常數(shù)的陶瓷蓋板,其特征在于,所述AF膜層(5)的厚度范圍為5-20nm。
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