[實用新型]一種納米級雙層膠結構有效
| 申請號: | 201920715984.X | 申請日: | 2019-05-16 |
| 公開(公告)號: | CN210983032U | 公開(公告)日: | 2020-07-10 |
| 發明(設計)人: | 潘堯 | 申請(專利權)人: | 蘇州銳材半導體有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/32 | 分類號: | G03F7/32 |
| 代理公司: | 蘇州國卓知識產權代理有限公司 32331 | 代理人: | 薛芳芳 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 納米 雙層 膠結 | ||
本實用新型公開了一種納米級雙層膠結構,包括用于感光用的PMMA電子束光刻膠以及LOL底層膠,同時還包括用來進行涂膠工藝的晶圓襯底,最后包括用于LOL底層膠溶解的溶解液層,所述晶圓襯底的上端外表面均勻涂覆有LOL底層膠,且LOL底層膠的頂層均勻涂覆有PMMA電子束光刻膠,所述PMMA電子束光刻膠可通過電子束光刻實現在晶圓襯底上的圖形化,所述電子束光刻是通過PMMA的顯影液去圖形化PMMA電子束光刻膠。本實用新型所述的一種納米級雙層膠結構,在不改變雙層膠工藝任何工藝流程和步驟的前提下,實現了傳統半導體工藝中的底層膠材料和電子束光刻材料的配套使用,從而方便實現了納米級尺寸的金屬圖形,帶來更好的使用前景。
技術領域
本實用新型涉及光刻膠技術領域,特別涉及一種納米級雙層膠結構。
背景技術
雙層膠工藝是目前半導體工藝實現金屬圖形化的常用工藝,在微米級工藝的材料已經比較多樣。電子束光刻是半導體加工很重要的工藝技術,電子束可以輕松實現納米級圖案,無需掩膜;但是市場上與電子束光刻配套實現雙層膠工藝的相關工藝和材料還不夠成熟和多樣化。
尤其需要與價格高昂的電子束光刻膠兼容的配套工藝材料還不多見。給利用電子束光刻膠來實現納米級工藝多樣化設置了一定門檻。
實用新型內容
本實用新型的主要目的在于提供一種納米級雙層膠結構,可以有效解決背景技術中的問題。
為實現上述目的,本實用新型采取的技術方案為:
一種納米級雙層膠結構,包括用于感光用的PMMA電子束光刻膠以及 LOL底層膠,同時還包括用來進行涂膠工藝的晶圓襯底,最后包括用于LOL 底層膠溶解的溶解液層,所述晶圓襯底的上端外表面均勻涂覆有LOL底層膠,且LOL底層膠的頂層均勻涂覆有PMMA電子束光刻膠。
與現有技術相比,本實用新型具有如下有益效果:該納米級雙層膠結構,在不改變雙層膠工藝任何工藝流程和步驟的前提下,實現了傳統半導體工藝中的底層膠材料和電子束光刻材料的配套使用,從而方便實現了納米級尺寸的金屬圖形,使用的效果相對于傳統方式更好。
附圖說明
圖1為本實用新型一種納米級雙層膠整體結構示意圖;
圖a為晶圓襯底上通過涂膠工藝涂上LOL底層膠和PMMA電子束光刻膠整體示意圖;
圖b為通過電子束光刻實現頂層PMMA電子束光刻膠的圖形化示意圖;
圖c為利用本實用新型溶解液溶解LOL底層膠示意圖。
圖中:1、PMMA電子束光刻膠;2、LOL底層膠;3、晶圓襯底。
具體實施方式
為使本實用新型實現的技術手段、創作特征、達成目的與功效易于明白了解,下面結合具體實施方式,進一步闡述本實用新型。
如圖1所示,一種納米級雙層膠結構,包括用于感光用的PMMA電子束光刻膠1以及LOL底層膠2,同時還包括用來進行涂膠工藝的晶圓襯底3,最后包括用于LOL底層膠2溶解的溶解液,晶圓襯底3的上端外表面均勻涂覆有LOL底層膠2,且LOL底層膠2的頂層均勻涂覆有PMMA電子束光刻膠 1。
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