[實用新型]反熔絲存儲單元

有效

• 申請號: 201920691983.6
• 申請日: 2019-05-15
• 公開（公告）號: CN209785929U
• 公開（公告）日: 2019-12-13
• 發明（設計）人: 李雄
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525;H01L27/112;H01L21/768;H01L21/8246
• 代理公司: 31294 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 孫佳胤;高德志

1.一種反熔絲存儲單元，其特征在于，包括：

半導體襯底；

位于所述半導體襯底中的有源區，所述有源區包括互連區和至少兩個下電極區，所述下電極區與所述互連區至少一部分接觸；

覆蓋所有所述下電極區表面的柵介質層；

位于所述柵介質層上的上電極層。

2.如權利要求1所述的反熔絲存儲單元，其特征在于，所述下電極區與所述互連區的接觸方式為直線邊接觸、曲線型接觸或者環繞型接觸。

3.如權利要求1所述的反熔絲存儲單元，其特征在于，所述有源區周圍的半導體襯底中以及相鄰下電極區之間的半導體襯底中具有淺溝槽隔離結構。

4.如權利要求3所述的反熔絲存儲單元，其特征在于，所述淺溝槽隔離結構與所述下電極區頂部表面邊緣接觸的部分具有向下的凹陷，所述淺溝槽隔離結構其他部分不高于所述下電極區頂部表面。

5.如權利要求4所述的反熔絲存儲單元，其特征在于，所述柵介質層和所述上電極層至少覆蓋部分所述淺溝槽隔離區，且所述柵介質層和上電極層填充所述凹陷，使得上電極層具有向下的下凸區。

6.如權利要求1所述的反熔絲存儲單元，其特征在于，還包括：位于相鄰下電極區之間，將相鄰下電極區連接的連接區，所述連接區與下電極區的材料相同，所述柵介質層和上電極層覆蓋所述連接區和所述下電極區的表面。

7.如權利要求1所述的反熔絲存儲單元，其特征在于，還包括：與所述互連區連接的第一接觸插塞，與所述上電極層連接的第二接觸插塞，所述第一接觸插塞與所述上電極層之間的最短距離不小于60nm。

8.如權利要求7所述的反熔絲存儲單元，其特征在于，覆蓋所述上電極層和互連區表面的介質層，所述介質層中具有第一通孔和第二通孔，所述第一通孔底部暴露出所述互連區的表面，所述第一接觸插塞位于所述第一通孔中，所述第二通孔底部暴露出所述上電極層的表面，所述第二接觸插塞位于所述第二通孔中。

9.如權利要求8所述的反熔絲存儲單元，其特征在于，在對所述反熔絲存儲單元進行編程時，在所述第一接觸插塞和第二接觸插塞上施加編程電壓，所述編程電壓使得所述上電極層和所述下電極區之間的柵介質層被擊穿。

10.如權利要求1所述的反熔絲存儲單元，其特征在于，所述下電極區形狀為條狀、環狀或不規則形狀。