[實用新型]一種半導體高溫擴散爐管有效
| 申請號: | 201920680913.0 | 申請日: | 2019-05-13 |
| 公開(公告)號: | CN210110717U | 公開(公告)日: | 2020-02-21 |
| 發明(設計)人: | 黃輝成 | 申請(專利權)人: | 上海歐勛機電工程有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/22 |
| 代理公司: | 上海宏京知識產權代理事務所(普通合伙) 31297 | 代理人: | 馮華 |
| 地址: | 201315 上海市崇明區長興鎮潘園公*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 半導體 高溫 擴散 爐管 | ||
1.一種半導體高溫擴散爐管,其結構包括底透氣孔(1)、側護箱(2)、隔護箱(3)、防護爐管口(4)、處理槽(5)、防護邊框(6)、固定透氣孔(7)、底箱(8)、側操作箱(9),其特征在于:
所述底透氣孔(1)貫穿于側操作箱(9)內部,所述側操作箱(9)位于側護箱(2)下方,所述側護箱(2)與隔護箱(3)相連接,所述、防護爐管口(4)貫穿于隔護箱(3)內部,所述防護爐管口(4)位于處理槽(5)內槽,所述防護邊框(6)焊接于隔護箱(3)外表面,所述固定透氣孔(7)貫穿于隔護箱(3)內部,所述底箱(8)頂端安裝有隔護箱(3),所述底箱(8)設于處理槽(5)下方,所述防護邊框(6)通過隔護箱(3)與固定透氣孔(7)相連接。
2.根據權利要求1所述的一種半導體高溫擴散爐管,其特征在于:所述防護爐管口(4)包括回旋擋塊(411)、內空槽(422)、芯體(433)、熱氣膨口(444)、旋出口(455)、內兜槽(466)、凸起卡塊(477),所述回旋擋塊(411)貫穿于旋出口(455)內部且活動連接,所述芯體(433)嵌入于內空槽(422)內部且位于同一軸心上。
3.根據權利要求2所述的一種半導體高溫擴散爐管,其特征在于:所述熱氣膨口(444)與內兜槽(466)相互貫通,所述內兜槽(466)通過熱氣膨口(444)與內空槽(422)相連接,所述凸起卡塊(477)位于內兜槽(466)外表面,所述內兜槽(466)設于側護箱(2)內部。
4.根據權利要求2所述的一種半導體高溫擴散爐管,其特征在于:所述回旋擋塊(411)包括兜氣口(411a)、弧氣道(411b)、卡扣鉤(411c)、順滑層(411d)、實心塊(411e),所述兜氣口(411a)嵌入于實心塊(411e)內部,所述實心塊(411e)與順滑層(411d)相連接,所述兜氣口(411a)與弧氣道(411b)相互貫通。
5.根據權利要求4所述的一種半導體高溫擴散爐管,其特征在于:所述卡扣鉤(411c)焊接于順滑層(411d)外表面,所述順滑層(411d)通過實心塊(411e)與兜氣口(411a)相連接,所述弧氣道(411b)抵在實心塊(411e)外表面,所述卡扣鉤(411c)通過順滑層(411d)與兜氣口(411a)相連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





