[實用新型]防電子產品漏電的自上電結構和電子產品有效
| 申請號: | 201920665632.8 | 申請日: | 2019-05-10 |
| 公開(公告)號: | CN209659269U | 公開(公告)日: | 2019-11-19 |
| 發明(設計)人: | 吳穎哲 | 申請(專利權)人: | 廈門騏俊物聯科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H03K19/0175 | 分類號: | H03K19/0175;H03K19/007;H03K19/003 |
| 代理公司: | 35227 廈門仕誠聯合知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人: | 吳圳添<國際申請>=<國際公布>=<進入 |
| 地址: | 361009 福建省廈門市思明區塔埔*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 上電 電子產品 電路輸出端 電源輸入端 漏電 觸點連接 上電電路 觸點 自鎖 電路 導電連接件 產品功能 觸發器件 供電電源 自鎖控制 絕緣件 | ||
1.一種防電子產品漏電的自上電結構,其特征在于,包括自上電電路、導電連接件和絕緣件,所述自上電電路包括:
電源輸入端,所述電源輸入端連接供電電源;
電路輸出端,所述電路輸出端連接產品功能電路;
第一觸點,所述第一觸點連接所述電源輸入端;
第二觸點,所述第二觸點連接所述電路輸出端;
自鎖控制器件,所述自鎖控制器件包括第一控制端、第二控制端和使能控制端,所述第一控制端連接所述電源輸入端,所述第二控制端連接所述電路輸出端;
自鎖觸發器件,所述自鎖觸發器件包括第一觸發端、第二觸發端和第三觸發端,所述第一觸發端連接所述電源輸入端且所述第一觸發端還連接所述自鎖控制器件的所述使能控制端;所述第二觸發端連接所述電路輸出端;所述第三觸發端接地;
偏置電阻,所述偏置電阻串聯在所述第一觸點與所述第一觸發端之間;
第一分壓電阻,所述第一分壓電阻串聯在所述第二觸點與所述第二觸發端之間;
第二分壓電阻,所述第二分壓電阻串聯在所述第二觸發端與地之間;
所述導電連接件跨在所述第一觸點和所述第二觸點之間,所述絕緣件阻隔在所述導電連接件與所述第一觸點和所述第二觸點之間。
2.如權利要求1所述的防電子產品漏電的自上電結構,其特征在于,所述自鎖控制器件為PMOS管,所述第一控制端為PMOS管的源極,所述第二控制端為PMOS管的漏極,所述使能控制端為PMOS管的柵極。
3.如權利要求2所述的防電子產品漏電的自上電結構,其特征在于,所述自鎖觸發器件為NPN三極管,所述第一觸發端為NPN三極管的集電極,所述第二觸發端為NPN三極管的基極,所述第三觸發端為NPN三極管的發射極。
4.如權利要求3所述的防電子產品漏電的自上電結構,其特征在于,所述PMOS管的型號為WPM3401,所述NPN三極管的型號為S8050。
5.如權利要求4所述的防電子產品漏電的自上電結構,其特征在于,所述自上電電路還包括保護電阻,所述保護電阻串聯在所述使能控制端和所述第一觸發端之間。
6.如權利要求5所述的防電子產品漏電的自上電結構,其特征在于,所述第一分壓電阻的阻值為2.4MΩ,所述第二分壓電阻的阻值為1.0MΩ,所述偏置電阻的阻值為2.0MΩ,所述保護電阻的阻值為1.0KΩ。
7.如權利要求2所述的防電子產品漏電的自上電結構,其特征在于,所述自鎖觸發器件為NMOS管,所述第一觸發端為NMOS管的漏極,所述第二觸發端為NMOS管的柵極,所述第三觸發端為NMOS管的源極。
8.一種電子產品,其特征在于,包括:如權利要求1至7任一項所述的防電子產品漏電的自上電結構,所述電子產品包括上殼和下殼,所述絕緣件位于所述上殼和所述下殼之間,并且有部分位于所述電子產品外部,所述自上電電路位于PCBA板。
9.如權利要求8所述的電子產品,其特征在于,所述PCBA板還具有所述產品功能電路。
10.如權利要求8或9所述的電子產品,其特征在于,所述導電連接件為金屬彈片,所述金屬彈片包括兩個彎拆的彈舌以及位于所彈舌下頂點表面的彈觸墊。
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