[實用新型]具有點狀布圖設計的半導體器件

有效

• 申請號: 201920658783.0
• 申請日: 2019-05-07
• 公開（公告）號: CN209843709U
• 公開（公告）日: 2019-12-24
• 發明（設計）人: 張永杰;陳偉鈿;周永昌;王傳道
• 申請（專利權）人: 創能動力科技有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/06
• 代理公司: 44372 深圳市六加知識產權代理有限公司
• 代理人: 宋建平

1.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括器件區和終端區，所述終端區圍繞所述器件區，所述器件區包括多個肖特基區和多個二極管區，相鄰兩個二極管區被肖特基區隔開，所述多個肖特基區具有第一導電類型，所述多個二極管區具有第二導電類型，

所述多個二極管區包括第一多個二極管區和第二多個二極管區，所述第一多個二極管區中的每個二極管區包括第二導電類型的勢壘區和緩沖區，所述緩沖區包圍所述勢壘區，并且所述緩沖區的雜質濃度低于所述勢壘區的雜質濃度，

所述第二多個二極管區中的每個二極管區由第二導電類型的緩沖區構成。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述器件區包括角區域，所述第二多個二極管區設置在所述角區域中。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述器件區包括角區域和邊區域，所述第二多個二極管區設置在所述角區域和所述邊區域中。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述第一多個二極管區中的勢壘區的平面視圖具有選自于由圓形、方形、六邊形組成的組中的形狀。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述第一多個二極管區中的緩沖區和所述第二多個二極管區中的緩沖區的平面視圖具有選自于由圓形、方形、六邊形組成的組中的形狀。

6.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括：

包括碳化硅的半導體層，所述半導體層具有第一面和第二面，所述半導體層包括第一導電類型的基底和形成在所述基底上的漂移層，所述漂移層的雜質濃度低于所述基底的雜質濃度；

多個肖特基區，所述多個肖特基區從所述第一面朝向所述基底的方向延伸；

多個二極管區，所述多個二極管區具有第二導電類型并且從所述第一面朝向所述基底的方向延伸，相鄰兩個二極管區被肖特基區隔開；

第一金屬電極，所述第一金屬電極設置在所述第一面上，所述第一金屬電極與所述多個肖特基區形成肖特基接觸，并且與所述多個二極管區形成低阻接觸；以及

第二金屬電極，所述第二金屬電極設置在所述第二面上，并且與所述第二面形成歐姆接觸，

所述半導體器件包括器件區，所述多個肖特基區和所述多個二極管區位于所述器件區，所述器件區包括中心區域和角區域，在所述中心區域，所述多個二極管區中的每個二極管區包括勢壘區和緩沖區，所述緩沖區包圍所述勢壘區，并且所述緩沖區的雜質濃度低于所述勢壘區的雜質濃度，在所述角區域，所述多個二極管區中的每個二極管區由第二導電類型的緩沖區構成。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述器件區還包括邊區域，在所述邊區域，所述多個二極管區中的每個二極管區由第二導電類型的緩沖區構成。

8.根據權利要求6或7所述的半導體器件，其特征在于，所述中心區域的二極管區的勢壘區的平面視圖具有選自于由圓形、方形、六邊形組成的組中的形狀。

9.根據權利要求6或7所述的半導體器件，其特征在于，所述中心區域的二極管區的緩沖區的平面視圖具有選自于由圓形、方形、六邊形組成的組中的形狀。

10.根據權利要求6或7所述的半導體器件，其特征在于，所述角區域的二極管區的緩沖區的平面視圖具有選自于由圓形、方形、六邊形組成的組中的形狀。