[實(shí)用新型]一種IGBT模塊預(yù)埋填料式封裝結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201920616727.0 | 申請(qǐng)日： | 2019-04-30 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN209981199U | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-01-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 林湖 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 江蘇康迪新能源科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/053 | 分類號(hào)： | H01L23/053;H01L23/498;H01L23/367;H01L23/16;H01L25/18 |
| 代理公司： | 32280 常州市權(quán)航專利代理有限公司 | 代理人： | 袁興隆 |
| 地址： | 211400 江蘇省揚(yáng)州*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 銅底座 陶瓷基板 填充空腔 絕緣外殼 封閉蓋 絕緣塊 陶瓷板 固定焊料 鑲嵌凹槽 導(dǎo)線槽 預(yù)埋 焊料 本實(shí)用新型 導(dǎo)電焊料 封裝結(jié)構(gòu) 接線板 開(kāi)口處 填料式 底面 空腔 內(nèi)壁 銅層 銅質(zhì) 填充 焊接 芯片 | ||
1.一種IGBT模塊預(yù)埋填料式封裝結(jié)構(gòu)，其特征是：包括銅底座，在銅底座上部連接有一個(gè)環(huán)形的絕緣外殼，在銅底座與絕緣外殼的內(nèi)壁之間設(shè)置有一個(gè)填充空腔；在銅底座上設(shè)置有一個(gè)鑲嵌凹槽，在所述銅底座上固定有一個(gè)陶瓷基板，在陶瓷基板與鑲嵌凹槽的底面之間設(shè)置有固定焊料填充空腔A，填充空腔內(nèi)A填充有焊料；在所述陶瓷基板上設(shè)置有一個(gè)固定凹槽，所述固定凹槽內(nèi)填充有焊料，通過(guò)焊料固定有IGBT芯片和FWD芯片，在固定凹槽內(nèi)還填充有高溫固定膠；所述填充空腔對(duì)應(yīng)陶瓷基板上部的空腔內(nèi)設(shè)置有一個(gè)絕緣塊，絕緣塊內(nèi)預(yù)埋有導(dǎo)線槽陣列，所述導(dǎo)線槽陣列包括若干互相平行的導(dǎo)線槽，所述導(dǎo)線槽分為導(dǎo)線槽A和導(dǎo)線槽B，其中導(dǎo)線槽A的一端位于絕緣塊底部對(duì)應(yīng)IGBT芯片的接觸位置，導(dǎo)線槽A的另一端位于絕緣塊的頂部；所述導(dǎo)線槽B的一端位于絕緣塊底部對(duì)應(yīng)FWD芯片的接觸位置，導(dǎo)線槽B的另一端位于絕緣塊的頂部；在所述導(dǎo)線槽A和導(dǎo)線槽B內(nèi)填充有導(dǎo)電焊料；在所述絕緣塊的上部放置有一個(gè)DBC陶瓷板，DBC陶瓷板的邊緣與絕緣外殼內(nèi)壁接觸，DBC陶瓷板的銅層上焊接有接線板，在接線板內(nèi)嵌有若干互相平行的接線片；所述絕緣外殼的開(kāi)口處設(shè)置有一個(gè)銅質(zhì)的封閉蓋，封閉蓋位于DBC陶瓷板的上部，封閉蓋內(nèi)設(shè)置有固定焊料填充空腔B, 固定焊料填充空腔B內(nèi)填充有焊料；所述接線板上預(yù)連接有排線A，排線A穿過(guò)絕緣塊和絕緣外殼延伸到外部；所述IGBT芯片上預(yù)連接有排線B，排線B穿過(guò)絕緣塊和絕緣外殼延伸到外部；所述FWD芯片上預(yù)連接有排線C。
2.如權(quán)利要求1所述的一種IGBT模塊預(yù)埋填料式封裝結(jié)構(gòu)，其特征是：所述銅底座上設(shè)置有至少一個(gè)注入孔A和至少一個(gè)排氣孔A。
3.如權(quán)利要求1所述的一種IGBT模塊預(yù)埋填料式封裝結(jié)構(gòu)，其特征是：所述封閉蓋上設(shè)置有至少一個(gè)注入孔B和至少一個(gè)排氣孔B。
4.如權(quán)利要求1所述的一種IGBT模塊預(yù)埋填料式封裝結(jié)構(gòu)，其特征是：所述固定焊料填充空腔A內(nèi)設(shè)置有一個(gè)毛細(xì)導(dǎo)熱管A，所述毛細(xì)導(dǎo)熱管A穿過(guò)銅底座延伸到固定焊料填充空腔A的外部。
5.如權(quán)利要求1所述的一種IGBT模塊預(yù)埋填料式封裝結(jié)構(gòu)，其特征是：所述固定焊料填充空腔B內(nèi)設(shè)置有一個(gè)毛細(xì)導(dǎo)熱管B，所述毛細(xì)導(dǎo)熱管B穿過(guò)封閉蓋延伸到固定焊料填充空腔B的外部。
6.如權(quán)利要求1所述的一種IGBT模塊預(yù)埋填料式封裝結(jié)構(gòu)，其特征是：所述絕緣塊內(nèi)還分別貫穿設(shè)置有排氣孔C陣列和排氣孔D陣列，其中排氣孔C陣列包括若干互相平行布置的排氣孔C，所述排氣孔C的一端位于導(dǎo)線槽A的底部，一端位于絕緣塊的頂部；所述排氣孔D陣列包括若干互相平行布置的排氣孔D，所述排氣孔D的一端位于導(dǎo)線槽B的底部，一端位于絕緣塊的頂部。
7.如權(quán)利要求1所述的一種IGBT模塊預(yù)埋填料式封裝結(jié)構(gòu)，其特征是；所述絕緣外殼的頂部設(shè)置有一個(gè)環(huán)形的支撐槽，所述DBC陶瓷板與支撐槽的底部接觸，所述封閉蓋的外壁與支撐槽的內(nèi)壁接觸。
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