[實(shí)用新型]智能功率模塊和空調(diào)器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201920610099.5
• 申請(qǐng)日: 2019-04-29
• 公開（公告）號(hào): CN209562431U
• 公開（公告）日: 2019-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李媛媛;馮宇翔
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東美的制冷設(shè)備有限公司;美的集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H02M7/5387
• 分類號(hào): H02M7/5387;H02M1/42;H02H7/122;F24F11/88
• 代理公司: 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 張潤

本實(shí)用新型公開了一種智能功率模塊和空調(diào)器，其中，智能功率模塊包括：基板；設(shè)置在基板之上的控制芯片；設(shè)置在基板之上的逆變電路，逆變電路包括三組逆變模塊，每組逆變模塊包括第一GaN HEMT管和第二GaN HEMT管，其中，第一GaN HEMT管的漏極與基板上的高壓輸入端相連，第一GaN HEMT管的源極與第二GaN HEMT管的漏極相連，第二GaN HEMT管的源極與基板上的低電壓參考端相連，第一GaN HEMT管的柵極和第二GaN HEMT管的柵極均與控制芯片相連。本實(shí)用新型提出了一種空調(diào)器，包括前述的智能功率模塊。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及家用電器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種智能功率模塊以及一種空調(diào)器。

背景技術(shù)

IPM(Intelligent Power Module，智能功率模塊)是一種將電力電子和集成電路技術(shù)結(jié)合的功率驅(qū)動(dòng)類產(chǎn)品，并以其高集成度、高可靠性等優(yōu)勢(shì)贏得越來越大的市場(chǎng)，尤其適合于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的變頻器及各種逆變電源，是變頻調(diào)速，冶金機(jī)械，電力牽引，伺服驅(qū)動(dòng)，變頻家電的一種理想電力電子器件。

相關(guān)技術(shù)中，IPM中電力電子器件常采用IGBT管，但是，相關(guān)技術(shù)存在的問題在于，由于IGBT管的柵極電荷較多，所以在使用過程中，其柵極需要連接電阻進(jìn)行保護(hù)，另外，使用IGBT管還需外并聯(lián)二極管FRD，從而導(dǎo)致電路復(fù)雜，成本升高。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問題之一。

為此，本實(shí)用新型的第一個(gè)目的在于提出一種智能功率模塊，將控制芯片和逆變電路集成設(shè)置在基板之上，不僅能夠節(jié)省封裝的成本，還能夠減少裸露的電氣連接點(diǎn)，同時(shí)在逆變電路中使用GaN HEMT管，還能夠簡化電路。

本實(shí)用新型的第二個(gè)目的在于提出一種空調(diào)器。

為達(dá)上述目的，本實(shí)用新型提出了一種智能功率模塊，包括：基板；設(shè)置在所述基板之上的控制芯片；設(shè)置在所述基板之上的逆變電路，所述逆變電路包括三組逆變模塊，每組逆變模塊包括第一GaN HEMT管和第二GaN HEMT管，其中，所述第一GaN HEMT管的漏極與所述基板上的高壓輸入端相連，所述第一GaN HEMT管的源極與所述第二GaN HEMT管的漏極相連，所述第二GaN HEMT管的源極與所述基板上的低電壓參考端相連，所述第一GaN HEMT管的柵極和第二GaN HEMT管的柵極均與所述控制芯片相連。

根據(jù)本實(shí)用新型提出的智能功率模塊，將控制芯片和逆變電路集成設(shè)置在基板之上，逆變電路包括三組逆變模塊，每組逆變模塊包括第一GaN HEMT管和第二GaN HEMT管，其中，第一GaN HEMT管的漏極與基板上的高壓輸入端相連，第一GaN HEMT管的源極與第二GaNHEMT管的漏極相連，第二GaN HEMT管的源極與基板上的低電壓參考端相連，第一GaN HEMT管的柵極和第二GaN HEMT管的柵極均與控制芯片相連。由此，本發(fā)明實(shí)施例的智能功率模塊，將控制芯片和逆變電路集成設(shè)置在基板之上，不僅能夠節(jié)省封裝的成本，還能夠減少裸露的電氣連接點(diǎn)，同時(shí)在逆變電路中使用GaN HEMT管，不需外加并聯(lián)二極管，另外，還由于GaN HEMT管的柵極電荷遠(yuǎn)少于IGBT管，所以其柵極不用連接電阻進(jìn)行保護(hù)，進(jìn)而可簡化電路。

另外，本實(shí)用新型提出的智能功率模塊還可以具有如下附加的技術(shù)特征：

進(jìn)一步地，所述每組逆變模塊還包括：第一電容，所述第一電容的一端與所述第一GaN HEMT管的漏極相連，所述第一電容的另一端與所述第二GaN HEMT管的源極相連。

進(jìn)一步地，所述每組逆變模塊還包括：第二電容，所述第二電容的一端與所述控制芯片的第一電平端相連并作為所述基板上的高壓區(qū)供電電源正端，所述第二電容的另一端與所述第一GaN HEMT管的源極和所述第二GaN HEMT管的漏極均相連，所述第二電容的另一端還與所述控制芯片的第二電平端相連并作為所述基板上的高壓區(qū)供電電源負(fù)端。