[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法、半導(dǎo)體芯片、封裝方法及結(jié)構(gòu)

有效

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• 申請(qǐng)日: 2017-05-22
• 公開（公告）號(hào): CN108962764B
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陸麗輝;費(fèi)春潮;江博淵;王亞平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/50
• 分類號(hào): H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 吳敏

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法、一種半導(dǎo)體芯片、一種封裝方法及一種封裝結(jié)構(gòu)，通過在第二鈍化層中形成第三開口，以提高所述第二鈍化層的粗糙度。因此在填充所述半導(dǎo)體芯片與布線基板之間的空隙時(shí)，增強(qiáng)了填充介質(zhì)與所述半導(dǎo)體芯片的粘合度，從而使形成的封裝結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)定，性能更加優(yōu)良。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法、一種半導(dǎo)體芯片、一種封裝方法及一種封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

集成電路的封裝工藝是集成電路芯片轉(zhuǎn)化為實(shí)用電子產(chǎn)品過程中必不可少的一步，起到電子模塊互連、機(jī)械支撐、保護(hù)等作用，可以顯著地提高芯片的可靠性。

針對(duì)高性能要求的集成電路封裝體系，倒裝封裝開始成為高密度集成電路封裝的主流方法；同時(shí),三維封裝的出現(xiàn)也為更高密度的電子封裝提供可能。在集成電路封裝體系中，由于芯片、基板、焊球、下填料等材料的熱膨脹系數(shù)不同，在封裝工藝中很容易引入應(yīng)力，對(duì)芯片的性能及可靠性產(chǎn)生不良的影響。因此，提高封裝結(jié)構(gòu)的性能成為亟待解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的問題是提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法、一種半導(dǎo)體芯片、一種封裝方法及一種封裝結(jié)構(gòu)，以改善所形成的半導(dǎo)體芯片及封裝結(jié)構(gòu)的性能。

為解決上述問題，本發(fā)明實(shí)施方式提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供基底，所述基底上形成有連接層；在所述基底上形成第一鈍化層，所述第一鈍化層具有露出所述連接層的第一開口；形成第二鈍化層，所述第二鈍化層填充所述第一開口且覆蓋所述第一鈍化層；在所述第二鈍化層中形成第二開口和第三開口；所述第二開口位于第一開口內(nèi)且露出所述連接層，所述第三開口位于第一開口外；在所述第二開口中形成導(dǎo)電凸起。

可選的，所述第三開口的開口尺寸大于或等于20μm。

可選的，所述第三開口沿平行于襯底方向的截面呈六邊形。

可選的，所述基底布有多條切割道，切割道相交位置處構(gòu)成拐角區(qū)域，形成第三開口的步驟包括：在所述拐角區(qū)域形成第三開口。

可選的，在所述切割道交叉的拐角區(qū)域形成一個(gè)或多個(gè)第三開口。

可選的，所述第三開口底部位于所述第一鈍化層內(nèi)部；或者，所述第三開口露出所述第一鈍化層表面。

可選的，所述第二鈍化層的材料是氧化硅、氧化鋁、氮化硅、磷硅玻璃、硼硅玻璃、硼磷硅玻璃、聚酰亞胺、聚硅氧烷或硅酮橡膠。

可選的，在所述第二鈍化層中形成第二開口以及第三開口的步驟包括：形成填充所述第一開口且覆蓋所述第一鈍化層的第二鈍化層；在所述第二鈍化層上形成第一圖形層；以所述第一圖形層為掩膜刻蝕所述第二鈍化層，形成第二開口以及第三開口。

可選的，在所述第二開口中形成導(dǎo)電凸起的步驟包括：在所述第二開口側(cè)壁及底部形成金屬膜，所述金屬膜還覆蓋所述第二鈍化層且覆蓋所述第三開口的側(cè)壁及底部；在所述金屬膜上形成第二圖形層，所述第二圖形層在所述第二開口區(qū)域形成有第四開口，所述第四開口露出所述金屬膜；在所述第四開口內(nèi)填充金屬介質(zhì)形成金屬柱；在所述金屬柱上形成金屬帽；去除所述第二圖形層及所述第二圖形層下的所述金屬膜，露出所述第二鈍化層及所述第三開口；位于所述第四開口內(nèi)的所述金屬膜為導(dǎo)電凸起下金屬膜；所述金屬帽、所述金屬柱及所述導(dǎo)電凸起下金屬膜共同構(gòu)成導(dǎo)電凸起。

本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體芯片，包括：基底，所述基底上形成有連接層；位于所述連接層上的導(dǎo)電凸起；位于所述基底上及所述導(dǎo)電凸起之間的第一鈍化層，所述第一鈍化層具有露出所述導(dǎo)電凸起的第一開口；位于所述第一鈍化層上的第二鈍化層，所述第二鈍化層中具有露出所述導(dǎo)電凸起且位于第一開口內(nèi)的第二開口，所述第二鈍化層還具有位于所述第一開口外的第三開口。

可選的，所述第三開口的開口尺寸大于或等于20μm。

可選的，所述第三開口沿平行于基底方向的截面為正六邊形結(jié)構(gòu)。