[發明專利]半導體結構的形成方法、半導體芯片、封裝方法及結構

有效

• 申請號: 201710363969.9
• 申請日: 2017-05-22
• 公開（公告）號: CN108962764B
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發明（設計）人: 陸麗輝;費春潮;江博淵;王亞平
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 吳敏

1.一種半導體芯片的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上形成有連接層；所述基底布有多條切割道，切割道相交位置處構成拐角區域；

在所述基底上形成第一鈍化層，所述第一鈍化層具有露出所述連接層的第一開口；

形成第二鈍化層，所述第二鈍化層填充所述第一開口且覆蓋所述第一鈍化層；

在所述第二鈍化層中形成第二開口和第三開口；所述第二開口位于第一開口內且露出所述連接層，所述第三開口位于第一開口外；所述第三開口位于所述半導體芯片的拐角區域且暴露于所述半導體芯片表面；所述第三開口沿平行于襯底方向的截面呈六邊形；

在所述第二開口中形成導電凸起。

2.如權利要求1所述的半導體芯片的形成方法，其特征在于，所述第三開口的開口尺寸大于或等于20μm。

3.如權利要求1所述的半導體芯片的形成方法，其特征在于，在所述切割道交叉的拐角區域形成一個或多個第三開口。

4.如權利要求1所述的半導體芯片的形成方法，其特征在于，所述第三開口底部位于所述第一鈍化層內部；或者，所述第三開口露出所述第一鈍化層表面。

5.如權利要求1所述的半導體芯片的形成方法，其特征在于，所述第二鈍化層的材料是氧化硅、氧化鋁、氮化硅、磷硅玻璃、硼硅玻璃、硼磷硅玻璃、聚酰亞胺、聚硅氧烷或硅酮橡膠。

6.如權利要求1所述的半導體芯片的形成方法，其特征在于，在所述第二鈍化層中形成第二開口以及第三開口的步驟包括：

形成填充所述第一開口且覆蓋所述第一鈍化層的第二鈍化層；

在所述第二鈍化層上形成第一圖形層；

以所述第一圖形層為掩膜刻蝕所述第二鈍化層，形成第二開口以及第三開口。

7.如權利要求1所述的半導體芯片的形成方法，其特征在于，在所述第二開口中形成導電凸起的步驟包括：

在所述第二開口側壁及底部形成金屬膜，所述金屬膜還覆蓋所述第二鈍化層且覆蓋所述第三開口的側壁及底部；

在所述金屬膜上形成第二圖形層，所述第二圖形層在所述第二開口區域形成有第四開口，所述第四開口露出所述金屬膜；

在所述第四開口內填充金屬介質形成金屬柱；

在所述金屬柱上形成金屬帽；

去除所述第二圖形層及所述第二圖形層下的所述金屬膜，露出所述第二鈍化層及所述第三開口；

位于所述第四開口內的所述金屬膜為導電凸起下金屬膜；

所述金屬帽、所述金屬柱及所述導電凸起下金屬膜共同構成導電凸起。

8.一種半導體芯片，其特征在于，包括：

基底，所述基底上形成有連接層；所述基底布有多條切割道，切割道相交位置處構成拐角區域；

位于所述連接層上的導電凸起；

位于所述基底上及所述導電凸起之間的第一鈍化層，所述第一鈍化層具有露出所述導電凸起的第一開口；

位于所述第一鈍化層上的第二鈍化層，所述第二鈍化層中具有露出所述導電凸起且位于第一開口內的第二開口，所述第二鈍化層還具有位于所述第一開口外的第三開口；所述第三開口位于所述半導體芯片的拐角區域且暴露于所述半導體芯片表面；所述第三開口用于提高所述第二鈍化層的粗糙度；所述第三開口沿平行于襯底方向的截面呈六邊形。

9.如權利要求8所述的半導體芯片，其特征在于，所述第三開口的開口尺寸大于或等于20μm。

10.如權利要求8所述的半導體芯片，其特征在于，在所述半導體芯片的拐角區域有一個或多個第三開口。

11.如權利要求8所述的半導體芯片，其特征在于，所述第二鈍化層的材料是氧化硅、氧化鋁、氮化硅、磷硅玻璃、硼硅玻璃、硼磷硅玻璃、聚酰亞胺、聚硅氧烷或硅酮橡膠。