[實用新型]基板處理裝置有效
| 申請號: | 201920567123.1 | 申請日: | 2019-04-24 |
| 公開(公告)號: | CN209729871U | 公開(公告)日: | 2019-12-03 |
| 發明(設計)人: | 川渕洋介;河野央 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 11332 北京品源專利代理有限公司 | 代理人: | 呂琳;樸秀玉<國際申請>=<國際公布>= |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基板旋轉機構 噴出部 處理液噴出部 基板處理裝置 本實用新型 惰性氣體 置換液 | ||
1.一種基板處理裝置,用處理液處理基板之后使所述基板干燥,其特征在于,包括:
基板旋轉機構,其使所述基板旋轉;
處理液噴出部,其設置在所述基板旋轉機構的上方,并對所述基板噴出處理液;
置換液噴出部,其設置在所述基板旋轉機構的上方,并一邊相對于所述基板進行相對移動,一邊朝向所述基板噴出置換液以置換所述基板上的處理液;以及
惰性氣體噴出部,其設置在所述基板旋轉機構的上方,并一邊相對于所述基板向與所述置換液噴出部不同的方向移動,一邊從所述基板的上方對所述基板向外周方向傾斜地噴出惰性氣體,
所述置換液噴出部構成為,一邊從所述基板的中央部向外周方向移動,一邊將所述置換液向所述基板噴出,來形成所述置換液的液膜的厚度在所述基板的外周部側比所述基板的中央部側厚的邊界,
所述惰性氣體噴出部構成為,在相對于所述基板移動之前,在所述基板的中央上方,從所述基板的上方垂直向下地噴出所述惰性氣體,來輔助形成所述邊界,然后,停止所述惰性氣體的噴出之后,一邊向所述基板的外周方向移動,一邊對所述基板向外周方向傾斜地噴出所述惰性氣體。
2.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于:
所述惰性氣體噴出部構成為,以所述基板的每單位面積的所述惰性氣體的噴出量為相同的速度,進行移動。
3.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于:
所述置換液噴出部構成為,以所述基板的每單位面積的所述置換液的噴出量為相同的速度,進行移動。
4.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于:
所述惰性氣體噴出部和所述置換液噴出部構成為,以相同的速度進行移動。
5.一種基板處理裝置,用處理液處理基板之后使所述基板干燥,其特征在于,包括:
基板旋轉機構,其使所述基板旋轉;
處理液噴出部,其設置在所述基板旋轉機構的上方,并對所述基板噴出處理液;
置換液噴出部,其設置在所述基板旋轉機構的上方,并一邊相對于所述基板進行相對移動,一邊朝向所述基板噴出置換液以置換所述基板上的處理液;以及
惰性氣體噴出部,其設置在所述基板旋轉機構的上方,并一邊相對于所述基板向與所述置換液噴出部不同的方向移動,一邊從所述基板的上方對所述基板向外周方向傾斜地噴出惰性氣體,
所述處理液噴出部構成為,在從所述置換液噴出部向所述基板噴出所述置換液來在所述基板形成所述置換液的液膜時,向比所述置換液靠所述基板的外周側噴出所述處理液并形成所述處理液的液膜,之后停止所述處理液的噴出并形成所述置換液的液膜。
6.根據權利要求5所述的基板處理裝置,其特征在于:
所述惰性氣體噴出部構成為,以所述基板的每單位面積的所述惰性氣體的噴出量為相同的速度,進行移動。
7.根據權利要求5所述的基板處理裝置,其特征在于:
所述置換液噴出部構成為,以所述基板的每單位面積的所述置換液的噴出量為相同的速度,進行移動。
8.根據權利要求5所述的基板處理裝置,其特征在于:
所述惰性氣體噴出部和所述置換液噴出部構成為,以相同的速度進行移動。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





