[實用新型]一種高電子遷移率晶體管及電子裝置有效
| 申請號： | 201920556887.0 | 申請日： | 2019-04-22 |
| 公開（公告）號： | CN209526089U | 公開（公告）日： | 2019-10-22 |
| 發明（設計）人： | 陳道坤;史波;曾丹;陳兆同;何昌 | 申請（專利權）人： | 珠海格力電器股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人： | 黃志華 |
| 地址： | 519070 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高電子遷移率晶體管 下勢壘層 柵極區 電子裝置 緩沖層 柵區域 背離 電子技術領域 本實用新型 表面形成 依次設置 電壓低 柵電極 襯底 漏極 源極 側面 緩解 開通 | ||
1.一種高電子遷移率晶體管，其特征在于，包括：
襯底；
緩沖層，形成于所述襯底的一側；
GaN溝道層，形成于所述緩沖層背離所述襯底的側面，其中，GaN溝道層包括柵極區和位于柵極區周圍的非柵區域；
AlGaN柵下勢壘層，形成于所述GaN溝道層的柵極區背離所述緩沖層的一側；
柵電極，形成于AlGaN柵下勢壘層背離GaN溝道層的側面；
AlGaN勢壘層，形成于所述GaN溝道層的非柵區域背離所述緩沖層的一側，其中，所述AlGaN勢壘層表面形成有與AlGaN勢壘層歐姆接觸的源極和漏極；
鈍化層，覆蓋于源極、漏極、柵電極和AlGaN勢壘層表面；
其中，所述AlGaN柵下勢壘層的鋁含量低于AlGaN勢壘層的鋁含量，和/或，所述AlGaN柵下勢壘層的厚度小于AlGaN勢壘層的厚度。
2.根據權利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，AlGaN柵下勢壘層的厚度為1nm-10nm；
AlGaN勢壘層的厚度為10nm-40nm。
3.根據權利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，AlGaN柵下勢壘層的鋁含量為0-20％；
AlGaN勢壘層的鋁含量為10％-30％。
4.根據權利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述高電子遷移率晶體管還包括p型半導體膜層，所述p型半導體膜層設置于所述柵電極和所述AlGaN柵下勢壘層之間。
5.根據權利要求4所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述p型半導體膜層包括p型GaN、p型AlGaN或p型NiO。
6.根據權利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述AlGaN勢壘層和所述GaN溝道層之間還設有GaN修復層。
7.一種電子裝置，其特征在于，包括權利要求1-6任一項所述的高電子遷移率晶體管。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于珠海格力電器股份有限公司，未經珠海格力電器股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201920556887.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種穿通型中低壓平面TVS芯片
- 下一篇：PIN二極管
- 同類專利
- 專利分類
