[實(shí)用新型]揚(yáng)聲器箱有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201920554244.2 | 申請(qǐng)日: | 2019-04-22 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN209964290U | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-01-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 沈凱華;吳軍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 瑞聲科技(新加坡)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H04R9/06 | 分類號(hào): | H04R9/06 |
| 代理公司: | 44289 深圳市中原力和專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) | 代理人: | 謝芝柏 |
| 地址: | 新加坡宏茂橋*** | 國(guó)省代碼: | 新加坡;SG |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 泄漏口 發(fā)聲單體 盆架 磁路系統(tǒng) 收容空間 本實(shí)用新型 揚(yáng)聲器箱 聲腔 后腔 前腔 振膜 凸出 殼體內(nèi)部 和聲學(xué) 發(fā)聲 擋壁 抵接 分隔 殼體 一擋 遮擋 連通 收容 泄漏 側(cè)面 延伸 覆蓋 | ||
本實(shí)用新型提供了一種揚(yáng)聲器箱,其包括具有收容空間的殼體以及收容于收容空間內(nèi)的發(fā)聲單體;發(fā)聲單體包括盆架、分別固定于盆架的振膜和磁路系統(tǒng)以及由殼體內(nèi)部凸出延伸的至少兩個(gè)擋壁,磁路系統(tǒng)和盆架共同圍成的并用于發(fā)聲單體側(cè)面泄漏的泄漏口;發(fā)聲單體將收容空間分隔成前腔和后腔,前腔用于發(fā)聲;盆架、振膜以及磁路系統(tǒng)共同圍成聲腔,泄漏口將聲腔與后腔連通;泄漏口包括第一泄漏口和位于第一泄漏口相對(duì)兩端的兩個(gè)第二泄漏口;每一擋壁抵接于發(fā)聲單體并將對(duì)應(yīng)的第二泄漏口覆蓋遮擋。與相關(guān)技術(shù)相比,本實(shí)用新型的揚(yáng)聲器箱可靠性高和聲學(xué)性能優(yōu)。
【技術(shù)領(lǐng)域】
本實(shí)用新型涉及聲電領(lǐng)域,尤其涉及一種運(yùn)用于便攜式電子產(chǎn)品的揚(yáng)聲器箱。
【背景技術(shù)】
隨著移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的到來(lái),智能移動(dòng)設(shè)備的數(shù)量不斷上升。而在眾多移動(dòng)設(shè)備之中,手機(jī)無(wú)疑是最常見(jiàn)、最便攜的移動(dòng)終端設(shè)備。目前,手機(jī)的功能極其多樣,其中之一便是高品質(zhì)的音樂(lè)功能,因此,用于播放聲音的揚(yáng)聲器箱被大量應(yīng)用到現(xiàn)在的智能移動(dòng)設(shè)備之中。
相關(guān)技術(shù)的所述揚(yáng)聲器箱包括具有收容空間的殼體、收容于所述殼體內(nèi)的發(fā)聲單體以及形成于所述收容空間內(nèi)的導(dǎo)聲通道,所述發(fā)聲單體包括用于振動(dòng)發(fā)聲的振膜,所述振膜將所述收容空間分隔成前聲腔和后腔,所述導(dǎo)聲通道將所述前聲腔與外界連通并與所述前聲腔共同構(gòu)成所述前腔。
然而,相關(guān)技術(shù)的所述揚(yáng)聲器箱中,所述發(fā)聲單體采用大泄漏設(shè)計(jì),即發(fā)聲單體的泄漏設(shè)計(jì)在盆架側(cè)面,當(dāng)所述揚(yáng)聲器箱直接裝入所述收容空間后,殼體內(nèi)并沒(méi)有與所述大泄漏設(shè)計(jì)配合的結(jié)構(gòu),導(dǎo)致所述發(fā)聲單體整體泄漏偏大,導(dǎo)致所述揚(yáng)聲器箱失真,甚至是導(dǎo)致所述揚(yáng)聲器箱振幅過(guò)大而產(chǎn)生雜音。
因此,實(shí)有必要提供一種新的揚(yáng)聲器箱解決上述技術(shù)問(wèn)題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
本實(shí)用新型的目的在于提供一種可靠性高和聲學(xué)性能優(yōu)的揚(yáng)聲器箱。
為了達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型提供了一種揚(yáng)聲器箱,其包括具有收容空間的殼體以及收容于所述收容空間內(nèi)的發(fā)聲單體;所述發(fā)聲單體包括盆架、分別固定于所述盆架的振膜和磁路系統(tǒng)以及由所述殼體內(nèi)部凸出延伸的至少兩個(gè)擋壁,所述磁路系統(tǒng)和所述盆架共同圍成的并用于所述發(fā)聲單體側(cè)面泄漏的泄漏口,所述發(fā)聲單體將所述收容空間分隔成前腔和后腔,所述前腔用于發(fā)聲;所述盆架、所述振膜以及所述磁路系統(tǒng)共同圍成聲腔,所述泄漏口將所述聲腔與所述后腔連通;所述泄漏口包括第一泄漏口和位于所述第一泄漏口相對(duì)兩端的兩個(gè)第二泄漏口;每一所述擋壁抵接于所述發(fā)聲單體并將對(duì)應(yīng)的所述第二泄漏口覆蓋遮擋,通過(guò)所述第一泄漏口泄漏。
優(yōu)選的,所殼體包括上蓋、蓋設(shè)于所述上蓋并共同圍成所述收容空間的下蓋;所述振膜與所述上蓋間隔相對(duì)形成所述前腔,所述振膜與所述下蓋及所述上蓋共同形成所述后腔,所述擋壁由所述下蓋向所述上蓋方向凸出延伸形成。
優(yōu)選的,所述盆架包括盆架本體和由所述盆架本體向遠(yuǎn)離所述振膜方向延伸的固定壁,所述振膜固定于所述盆架本體遠(yuǎn)離所述固定壁的一側(cè);所述磁路系統(tǒng)包括固定于所述固定壁的磁軛;所述磁軛與所述盆架本體間隔設(shè)置并共同圍成所述泄漏口,位于同一側(cè)的兩個(gè)所述擋壁間隔設(shè)置于所述第一泄漏口的相對(duì)兩側(cè),每一所述擋壁與對(duì)應(yīng)的所述第二泄漏口正對(duì)設(shè)置。
優(yōu)選的,所述磁軛呈矩形,所述泄漏口包括兩個(gè),兩個(gè)所述第一泄漏口分別位于所述磁軛的短軸相對(duì)兩側(cè),所述擋壁包括四個(gè)且分別位于所述磁軛四個(gè)角的位置,四個(gè)所述第二泄漏口分別位于所述磁軛的四個(gè)角的位置。
優(yōu)選的,所述下蓋包括貫穿其上的通口,所述磁軛固定于所述下蓋并完全蓋設(shè)所述通口。
優(yōu)選的,所述磁軛的四個(gè)角的位置作切角處理形成切邊部,所述下蓋還包括由所述通口的內(nèi)側(cè)對(duì)應(yīng)四個(gè)所述切邊部的位置凸出延伸形成四個(gè)延伸塊,四個(gè)所述延伸塊分別抵接于四個(gè)所述切邊部;四個(gè)所述擋壁分別由四個(gè)所述延伸塊彎折延伸形成,每一所述擋壁抵接于對(duì)應(yīng)的所述切邊部。
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