[實(shí)用新型]電容器、DRAM單元和存儲(chǔ)器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201920548020.0
• 申請(qǐng)日: 2019-04-22
• 公開（公告）號(hào): CN209785930U
• 公開（公告）日: 2019-12-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/64
• 分類號(hào): H01L23/64;H01L21/027
• 代理公司: 31294 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 孫佳胤;董琳

1.一種電容器，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底內(nèi)形成有電接觸部；

連接所述電接觸部的下電極層，所述下電極層包括至少兩個(gè)間隔排布的子電極層，所述子電極層的底部連接所述電接觸部；

位于所述下電極層內(nèi)外表面的電容介質(zhì)層，以及位于所述電容介質(zhì)層表面的上電極層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其特征在于，所述子電極層的截面為U型。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其特征在于，所述至少兩個(gè)子電極層的U型截面之間的距離范圍為30nm～50nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其特征在于，所述電容介質(zhì)層和上電極層均為連續(xù)的材料層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其特征在于，還包括位于所述間隔排布的子電極層之間的支撐結(jié)構(gòu)，所述支撐結(jié)構(gòu)連接所述子電極層，所述支撐結(jié)構(gòu)的內(nèi)外表面依次形成有所述電容介質(zhì)層和所述上電極層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電容器，其特征在于，所述支撐結(jié)構(gòu)至少包括：第一支撐層、第二支撐層，所述第一支撐層形成于所述襯底表面且位于所述下電極層的底部外圍以及兩個(gè)子電極層之間，所述第二支撐層位于所述下電極層的中部外圍以及兩個(gè)子電極層的之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電容器，其特征在于，所述支撐結(jié)構(gòu)還包括第三支撐層，所述第三支撐層位于所述下電極層的開口外圍。

8.一種DRAM單元，其特征在于，包括：

具有源極區(qū)和漏極區(qū)的晶體管；

如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的電容器；

其中，所述晶體管設(shè)置在所述襯底內(nèi)，所述電容器通過所述電接觸部與所述源極區(qū)或所述漏極區(qū)接觸。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的DRAM單元，其特征在于，所述晶體管為埋柵結(jié)構(gòu)晶體管、平面柵結(jié)構(gòu)晶體管或者環(huán)柵結(jié)構(gòu)晶體管。

10.一種存儲(chǔ)器，其特征在于，包括：由多個(gè)如上述權(quán)利要求8所述的DRAM單元形成的存儲(chǔ)陣列。