[實用新型]一種提高變頻器抗干擾模塊裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201920541353.0
• 申請日: 2019-04-20
• 公開（公告）號: CN209516929U
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發(fā)明（設計）人: 張汝建
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇馭創(chuàng)高鐵節(jié)能科技有限公司
• 主分類號: H02M1/44
• 分類號: H02M1/44
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型公開了一種提高變頻器抗干擾模塊裝置，包含有數(shù)個絕緣柵雙極型晶體管模塊、數(shù)個儲能電容，所述絕緣柵雙極型晶體管模塊和儲能電容均呈排列設置；所述絕緣柵雙極型晶體管模塊和儲能電容設置在同一平面內(nèi)，且所述絕緣柵雙極型晶體管模塊和儲能電容所處的平面上下兩側(cè)分別設有疊層母排和水冷板；通過將整流和變頻模塊采用平面布置，從而減少了干擾強度，也提高了磁場分布的均勻性，達到提高抗干擾性能的目的。

技術(shù)領域

本實用新型涉及變頻器應用領域，具體涉及一種提高變頻器抗干擾模塊裝置。

背景技術(shù)

目前，變頻器的模塊安裝形式一般有如下三種：

一是分相布置，但是此種方式的接線復雜，直流部分需要導線連接，電流方向比較復雜，電磁分布雜亂，存在很大的干擾；

二是整流與變頻分裂布置，但是此種方式由于連接導線均有電感，容易將電感放大，并且由于銅排連接點電流匯聚，使疊層母線內(nèi)各部電流密度不均勻，存在很大的干擾；

三是采用“U”疊層母線結(jié)構(gòu)，由于整個絕緣柵雙極型晶體(IGBT)模塊處于磁場中，該磁場隨電流大小影響IGBT模塊內(nèi)電子流方向和速度，變頻器的功率控制受到干擾。

因此迫切需要一種具備高抗干擾的變頻器模塊。

公開于該背景技術(shù)部分的信息僅僅旨在加深對本實用新型的總體背景技術(shù)的理解，而不應當被視為承認或以任何形式暗示該信息構(gòu)成已為本領域技術(shù)人員所公知的現(xiàn)有技術(shù)。

實用新型內(nèi)容

為解決上述技術(shù)問題，本實用新型提出了一種提高變頻器抗干擾模塊裝置，以達到提高抗干擾性能的目的。

為達到上述目的，本實用新型的技術(shù)方案如下：

一種提高變頻器抗干擾模塊裝置，包含有數(shù)個絕緣柵雙極型晶體管模塊、數(shù)個儲能電容，所述絕緣柵雙極型晶體管模塊和儲能電容均呈排列設置；所述絕緣柵雙極型晶體管模塊和儲能電容設置在同一平面內(nèi)，且所述絕緣柵雙極型晶體管模塊和儲能電容所處的平面上下兩側(cè)分別設有疊層母排和水冷板。

本實用新型通過將整流和變頻模塊采用平面布置，從而減少了干擾強度，也提高了磁場分布的均勻性，達到提高抗干擾性能的目的。

作為優(yōu)選的，所述絕緣柵雙極型晶體管模塊通過鎖緊螺栓與疊層母排連接。利用鎖緊螺栓實現(xiàn)絕緣柵雙極型晶體管模塊與疊層母排之間的可拆式連接。

本實用新型具有如下優(yōu)點：

1.本實用新型通過將整流和變頻模塊采用平面布置，即IGBT模塊和儲能電容設置在同一個平面內(nèi)，從而減少了干擾強度，也提高了磁場分布的均勻性，達到提高抗干擾性能的目的。

2.本實用新型利用鎖緊螺栓實現(xiàn)絕緣柵雙極型晶體管模塊與疊層母排之間的可拆式連接。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹。

圖1為本實用新型實施例公開的一種提高變頻器抗干擾模塊裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實用新型實施例公開的一種提高變頻器抗干擾模塊裝置中IGBT模塊的安排布示意圖；

圖中數(shù)字和字母所表示的相應部件名稱：

1.IGBT模塊 2.儲能電容 3.疊層母排 4.水冷板 5.鎖緊螺栓。

具體實施方式

下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。