[實用新型]微型LED器件及微型LED陣列

有效

• 申請號: 201920537194.7
• 申請日: 2019-04-18
• 公開（公告）號: CN209561369U
• 公開（公告）日: 2019-10-29
• 發明（設計）人: 黎子蘭;李成果;張樹昕
• 申請（專利權）人: 廣東省半導體產業技術研究院
• 主分類號: H01L21/76
• 分類號: H01L21/76;H01L27/15;H01L33/02;H01L33/36
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 徐麗

1.一種微型LED器件，其特征在于，包括：

基底；

位于所述基底一側并間隔設置的第一高電阻層和第二高電阻層；

位于所述第一高電阻層和第二高電阻層之間，基于所述基底制作的第一N型半導體層、第一發光層和第一P型半導體層；

位于所述第二高電阻層遠離所述第一高電阻層一側，基于所述基底制作的第二N型半導體層、第二發光層和第二P型半導體層，其中，所述第一高電阻層和第二高電阻層的電阻大于所述第一N型半導體層、第一發光層、第一P型半導體層、第二N型半導體層、第二發光層和第二P型半導體層的電阻；

與所述第二N型半導體層相接觸的N型歐姆電極；

基于所述第一P型半導體層制作的第一P型歐姆電極。

2.根據權利要求1所述的微型LED器件，其特征在于，該微型LED器件還包括：

第三N型半導體層，所述第三N型半導體層基于所述基底制作形成，設置在所述第二高電阻層、所述第一N型半導體層以及所述第二N型半導體層三者與所述基底之間，所述N型歐姆電極與所述第三N型半導體層相接觸。

3.根據權利要求1所述的微型LED器件，其特征在于，該微型LED器件還包括：

基于所述第二P型半導體層制作的第二P型歐姆電極。

4.根據權利要求1所述的微型LED器件，其特征在于，所述基底包括襯底和基于所述襯底制作的緩沖層。

5.根據權利要求1所述的微型LED器件，其特征在于，所述第一高電阻層和第二高電阻層摻雜有C、N、Ar、B和F離子中的一種或多種。

6.一種微型LED陣列，其特征在于，包括多個權利要求1至5任意一項所述的微型LED器件，所述微型LED陣列中的微型LED器件成矩陣式排列，多個所述微型LED器件的第一N型半導體層或第二N型半導體層互相連通，多個所述微型LED器件之間通過所述第一高電阻層和第二高電阻層互相電隔離，多個所述微型LED器件的第一P型歐姆電極互相連通，多個所述微型LED器件的N型歐姆電極互相連通。

7.根據權利要求6所述的微型LED陣列，其特征在于，該微型LED陣列還包括與互相連通的所述第一P型歐姆電極相連接的第一電極和與互相連通的所述N型歐姆電極連接的第二電極。

8.根據權利要求6所述的微型LED陣列，其特征在于，該微型LED器件還包括：

基于所述第二P型半導體層制作的第二P型歐姆電極。

9.根據權利要求6所述的微型LED陣列，其特征在于，所述基底包括襯底和基于所述襯底制作的緩沖層。

10.根據權利要求6至9任意一項所述的微型LED陣列，其特征在于，所述第一高電阻層和第二高電阻層摻雜有C、N、Ar、B和F離子中的一種或多種。