[實用新型]一種射頻偏置電路封裝結構有效
| 申請號： | 201920531730.2 | 申請日： | 2019-04-18 |
| 公開（公告）號： | CN209913789U | 公開（公告）日： | 2020-01-07 |
| 發明（設計）人： | 閻述昱;其他發明人請求不公開姓名 | 申請（專利權）人： | 蘇州能訊高能半導體有限公司 |
| 主分類號： | H03F3/213 | 分類號： | H03F3/213;H03F3/195 |
| 代理公司： | 11332 北京品源專利代理有限公司 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215300 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 射頻 偏置電路 扼流部件 功率放大器 印刷電路板 封裝部件 功率放大器模塊 直流偏置電壓源 封裝結構 電連接 本實用新型 連接關系 射頻信號 輸出負載 集成度 偏置線 減小 內封 占用 覆蓋 | ||
1.一種射頻偏置電路封裝結構，其特征在于，包括：
封裝部件，所述封裝部件內封裝有功率放大器；
射頻偏置電路，所述射頻偏置電路包括射頻扼流部件，所述功率放大器電連接輸出負載的端口經由所述射頻扼流部件電連接至直流偏置電壓源；
所述封裝部件覆蓋所述射頻扼流部件。
2.根據權利要求1所述的射頻偏置電路封裝結構，其特征在于，所述封裝部件包括多個焊盤，所述射頻扼流部件對應所述封裝部件的部分焊盤所在區域設置，所述射頻扼流部件與所述部分焊盤電連接。
3.根據權利要求2所述的射頻偏置電路封裝結構，其特征在于，所述射頻扼流部件沿所述部分焊盤的排列方向延伸。
4.根據權利要求3所述的射頻偏置電路封裝結構，其特征在于，所述封裝部件內還封裝有諧振電路，所述諧振電路包括諧振電感和諧振電容，所述諧振電感的第一端電連接所述射頻扼流部件的一端對應的所述焊盤，所述諧振電感的第二端電連接所述諧振電容的第一端，所述諧振電容的第二端接入固定電壓。
5.根據權利要求4所述的射頻偏置電路封裝結構，其特征在于，所述射頻扼流部件的一端對應的所述焊盤電連接所述直流偏置電壓源，所述射頻扼流部件的另一端對應的所述焊盤電連接所述功率放大器的漏極。
6.根據權利要求4所述的射頻偏置電路封裝結構，其特征在于，所述諧振電感包括鍵合線，和/或，所述諧振電容包括IPD。
7.根據權利要求1所述的射頻偏置電路封裝結構，其特征在于，所述射頻扼流部件設置于印刷電路板上用于設置所述封裝部件的區域，所述封裝部件貼合在所述射頻扼流部件上。
8.根據權利要求1所述的射頻偏置電路封裝結構，其特征在于，所述射頻扼流部件貼合于所述封裝部件上。
9.根據權利要求1所述的射頻偏置電路封裝結構，其特征在于，所述射頻扼流部件為微帶線。
10.根據權利要求1所述的射頻偏置電路封裝結構，其特征在于，所述封裝部件為QFN封裝部件或者所述封裝部件為DFN封裝部件。
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