[實用新型]一種濕法蝕刻裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201920525067.5 | 申請日： | 2019-04-17 |
| 公開（公告）號： | CN209822599U | 公開（公告）日： | 2019-12-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 馬文龍;馬偉凱;楊榮;徐文彥 | 申請（專利權(quán)）人： | 天水華洋電子科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;H01L21/687;B01D29/11 |
| 代理公司： | 51230 成都弘毅天承知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 鄒敏菲 |
| 地址： | 741020 甘肅*** | 國省代碼： | 甘肅;62 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶圓 旋轉(zhuǎn)夾盤 噴嘴 供液管 本實用新型 回收槽 加熱層 蝕刻液 同圓心 供液 濕法蝕刻裝置 蝕刻均勻度 晶圓邊緣 晶圓中心 外層噴嘴 圓周分布 溫度差 多層 內(nèi)層 熱管 連通 水泵 | ||
1.一種濕法蝕刻裝置，包括晶圓旋轉(zhuǎn)夾盤(1)，固定在晶圓旋轉(zhuǎn)夾盤(1)上的晶圓(2)和回收槽(3)，其特征在于，所述晶圓旋轉(zhuǎn)夾盤(1)靠近邊緣的盤面上設(shè)有加熱層(11)，所述加熱層(11)為圓形且與晶圓旋轉(zhuǎn)夾盤(1)同圓心，所述晶圓旋轉(zhuǎn)夾盤(1)下方設(shè)有回收槽(3)，所述晶圓(2)上方設(shè)有供液管(4)，所述供液管(4)底部設(shè)有噴嘴(5)，所述噴嘴(5)呈圓周分布設(shè)有多層且與晶圓旋轉(zhuǎn)夾盤(1)同圓心，所述噴嘴(5)的外層噴嘴(5)數(shù)量大于內(nèi)層噴嘴(5)數(shù)量，所述供液管(4)通過水泵(6)與供液倉(7)連通，所述供液倉(7)內(nèi)設(shè)有加熱管(9)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種濕法蝕刻裝置，其特征在于，所述回收槽(3)內(nèi)設(shè)有過濾框(31)，所述過濾框(31)通過卡接件(311)卡在回收槽(3)邊緣，所述卡接件(311)設(shè)為倒“凹”字形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種濕法蝕刻裝置，其特征在于，所述晶圓旋轉(zhuǎn)夾盤(1)中心嵌入設(shè)有溫度傳感器(12)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種濕法蝕刻裝置，其特征在于，所述外層噴嘴(5)數(shù)量比內(nèi)層噴嘴(5)數(shù)量多4～7個。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種濕法蝕刻裝置，其特征在于，所述噴嘴(5)共設(shè)有三圈。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種濕法蝕刻裝置，其特征在于，所述水泵(6)的進水管與過濾器(8)相連，所述過濾器(8)設(shè)在供液倉(7)內(nèi)。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
