[實用新型]一種存儲器有效
| 申請號： | 201920514036.X | 申請日： | 2019-04-16 |
| 公開（公告）號： | CN209496871U | 公開（公告）日： | 2019-10-15 |
| 發明（設計）人： | 劉釗;熊濤;許毅勝;舒清明 | 申請（專利權）人： | 上海格易電子有限公司;北京兆易創新科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/11517 | 分類號： | H01L27/11517;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新區張*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 源區 淺槽隔離區 凹槽結構 隔離層 上表面 存儲器 襯底基板 浮柵 本實用新型 介質層 斷開連接 間隔設置 內壁表面 控制柵 良品率 延伸 功耗 內壁 填充 貫穿 | ||
1.一種存儲器，其特征在于，包括：
襯底基板，所述襯底基板包括多個有源區和多個淺槽隔離區，所述有源區和所述淺槽隔離區間隔設置；
填充所述淺槽隔離區的隔離層，所述隔離層延伸至所述有源區中靠近所述淺槽隔離區一側的部分上表面；
位于所述有源區內的凹槽結構，所述凹槽結構部分貫穿所述有源區對應的所述襯底基板；
位于所述凹槽結構內壁表面并沿所述凹槽結構內壁延伸至所述隔離層部分上表面的浮柵，相鄰的所述有源區對應的所述浮柵之間斷開連接；
位于所述浮柵上表面和所述隔離層上表面的介質層；
位于所述介質層上的控制柵。
2.根據權利要求1所述的存儲器，其特征在于，沿垂直所述襯底基板的方向，所述凹槽結構的開口深度為D1，其中，50nm≤D1≤100nm。
3.根據權利要求1所述的存儲器，其特征在于，沿所述有源區指向所述淺槽隔離區的方向，所述凹槽結構的開口寬度為D2，其中，30nm≤D2≤80nm。
4.根據權利要求1所述的存儲器，其特征在于，沿垂直所述襯底基板的方向，所述浮柵的厚度為D3，其中，5nm≤D3≤20nm。
5.根據權利要求1所述的存儲器，其特征在于，沿所述有源區指向所述淺槽隔離區的方向，相鄰兩個所述有源區所對應的浮柵之間的距離為L1，其中，L1≥10nm。
6.根據權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述凹槽結構與所述浮柵之間設置有摻雜層和遂穿氧化層。
7.根據權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述隔離層的材料包括氧化硅材料；
所述介質層包括氧化硅、氮化硅和氧化硅層的層疊結構。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
