[實用新型]一種發光顯示面板及其顯示裝置有效
| 申請號: | 201920496461.0 | 申請日: | 2019-04-12 |
| 公開(公告)號: | CN209515671U | 公開(公告)日: | 2019-10-18 |
| 發明(設計)人: | 金玉;馬加力;鄭加新;韓兆強;陸蘊雷;劉偉 | 申請(專利權)人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京華進京聯知識產權代理有限公司 11606 | 代理人: | 熊曲;趙永輝 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 驅動電源 導電層 驅動陣列 發光顯示面板 本實用新型 平坦化層 顯示裝置 電極層 基板 并聯回路 像素補償 電連接 并聯 電阻 減小 電路 申請 | ||
本申請公開一種發光顯示面板及顯示裝置,包括基板,位于所述基板上的驅動陣列層、電極層,位于所述驅動陣列層與電極層之間的第一平坦化層、導電層,所述第一平坦化層設有第一過孔,所述導電層通過所述第一過孔與所述驅動陣列層的驅動電源VDD線電連接,以形成并聯回路,本實用新型通過設置導電層與驅動電源VDD線之間的并聯,減小驅動電源VDD線的電阻,增大了驅動電源的電流,使電流流經驅動電源VDD線時,驅動電源VDD線所產生的IR?drop降低更加明顯,本實用新型結構簡單,無需利用具有IR?drop功能的像素補償電路的方式降低IR?drop,降低成本導電層導電層。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,尤其涉及一種發光顯示面板及其顯示裝置。
背景技術
有機發光二極管(Organic Light Emitting Diode,OLED)是主動發光器件,具有高對比度、廣視角、低功耗、厚度更薄等優點。
OLED驅動電源(VDD)線中,電流流經VDD線時,由于VDD線的自身電阻分壓產生電源壓降(IR-drop),會影響顯示面板的屏體亮度均勻性。現有技術中的若通過具有IR-drop功能的像素補償電路的方式降低VDD線的IR-drop,其像素補償電路比較復雜,成本較高。
實用新型內容
本實用新型實施例提供一種發光顯示面板及顯示裝置,通過設置導電層與與驅動電源VDD線并聯來增大驅動電源VDD線的面積,從而減小驅動電源VDD線之間的電阻,增大了驅動電源VDD線的電流,使電流流經驅動電源VDD線時,驅動電源VDD線所產生的IR-drop降低更加明顯,解決了采用具有IR-drop功能的像素補償電路的方式降低驅動電源VDD線的IR-drop成本較高的問題。
本申請實施例提供一種發光顯示面板,其包括基板,位于所述基板上的驅動陣列層、電極層,位于所述驅動陣列層與電極層之間的第一平坦化層、導電層,所述第一平坦化層設有第一過孔,所述導電層通過所述第一過孔與所述驅動陣列層的驅動電源VDD線電連接。
本實用新型實施例的發光顯示面板,通過設置導電層與VDD線并聯,來增大驅動電源VDD線的面積,從而減小了VDD線的電阻,增大了驅動電源的電流,使電流流經VDD線時,VDD線所產生的IR-drop降低更加明顯。本實用新型實施例的發光顯示面板,結構簡單,無需利用具有IR-drop功能的像素補償電路的方式降低VDD線的IR-drop,降低了發光顯示面板的成本。
優選地,所述導電層為透明導電膜層。具體為ITO、IGZO等透明氧化物導電膜層,可適用于屏體透過率要求較高的發光顯示面板,如具有屏下指紋、屏下攝像頭等功能的發光顯示面板;另外還可以不必考慮設置導電層會影響顯示面板的出光,工藝更為簡單。
優選地,所述導電層呈面狀結構,并填充所述第一過孔與所述驅動電源VDD線形成并聯回路。通過設置面狀結構的導電層與VDD線并聯連接,增加VDD線的面積,從而降低VDD線的電阻,增大驅動電源的電流,使電流流經VDD線時,VDD線所產生的IR-drop降低更加明顯。
優選地,所述第一平坦化層的厚度為1-3um,優選為2um。通過設置第一平坦化層的厚度,較佳地降低導電層對驅動陣列層中電路的寄生電容的產生,且便于導電層成膜平整性。
優選地,還包括第二平坦化層,所述第二平坦化層位于所述導電層與所述電極層之間,所述第二平坦化層還設有第二過孔,所述第二過孔貫穿至所述驅動陣列層,使得所述電極層通過所述第二過孔與所述驅動陣列層的源/漏極電連接。通過在導電層與陽極之間設置第二平坦化層防止導電層與陽極之間的電導通,另外在刻蝕電極層過程中保護導電層的作用。
優選地,所述電極層為陽極。
優選地,所述驅動陣列層還包括電容,所述電容包括電容上電極與電容下電極,所述驅動電源VDD線與所述電容的上電極電連接。因電容上極板始終高壓,便于電荷輸入電容。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





