[實用新型]具有透明導電層的MWT單多晶P型TOPCON電池

有效

• 申請號: 201920488014.0
• 申請日: 2019-04-11
• 公開（公告）號: CN209658198U
• 公開（公告）日: 2019-11-19
• 發明（設計）人: 張勇;李國慶;王晨光
• 申請（專利權）人: 深圳市捷佳偉創新能源裝備股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/068
• 代理公司: 44247 深圳市康弘知識產權代理有限公司
• 代理人: 尹彥;胡朝陽<國際申請>=<國際公布>=

本實用新型公開了一種具有透明導電層的MWT單多晶P型TOPCON電池，包括：P型襯底，所述P型襯底的正面依次向上設置有N型擴散層、SiO2層、透明導電層和正金屬電極，所述P型襯底的背面依次向下設置有超薄遂穿SiO2層和磷摻雜P型硅薄層，所述磷摻雜P型硅薄層外設有背電場層和背金屬電極，所述透明導電層上設有多個貫穿至磷摻雜P型硅薄層的通孔，所述通孔內填有連接正金屬電極的灌孔金屬電極，使正金屬電極延伸至磷摻雜P型硅薄層外。本實用新型通過增加透明導電層，可以使電池片接收陽光的受光率提高，同時因其導電特性，可以降低串聯電阻，提高太陽能電池的短路電流和填充因子。

技術領域

本實用新型涉及太陽能電池技術領域，特別是涉及一種具有透明導電層的MWT單多晶P型TOPCON電池。

背景技術

自從第一塊太陽能電池在貝爾實驗室誕生以來，硅太陽能電池得到了廣泛的研究發展以及實際應用，特別是晶體硅太陽能電池，隨著科學技術的不斷發展，晶體硅太陽能電池的光電轉換效率不斷提升，生產成本也在持續下降。目前，晶體硅太陽能電池占太陽能電池全球市場總額的百分之八十以上，晶體硅太陽能電池片的產線光電轉換效率目前也已突破22％，與傳統火力發電的成本差也在不斷縮小，在未來幾年有望與火力發電的成本持平。晶體硅太陽能電池作為一種清潔無污染能源在改變能源結構、減少環境污染、實現可持續發展等方面的重要作用日益顯現。按基材的摻雜類型不同，可以將晶體硅太陽能電池分為N型晶體硅太陽能和P型晶體硅太陽能電池，如何改變晶體硅太陽能電池的結構，以進一步提高其光電轉換效率，這是業界廣泛關注的問題。

實用新型內容

本實用新型為了解決上述現有技術中存在的技術問題，提出一種具有透明導電層的MWT單多晶P型TOPCON電池。

本實用新型采用的技術方案是：

本實用新型提出一種具有透明導電層的MWT單多晶P型TOPCON電池，包括：P型襯底，所述P型襯底的正面依次向上設置有N型擴散層、SiO2層、透明導電層和正金屬電極，所述P型襯底的背面依次向下設置有超薄遂穿SiO2層和磷摻雜P型硅薄層，所述磷摻雜P型硅薄層外設有背電場層和背金屬電極，所述透明導電層上設有多個貫穿至磷摻雜P型硅薄層的通孔，所述通孔內填有連接正金屬電極的灌孔金屬電極，使正金屬電極延伸至磷摻雜P型硅薄層外。

優選地，所述P型襯底為P型單多晶硅片，所述P型單多晶硅片的厚度在150-300微米之間。

優選地，所述P型襯底表面制絨的絨面在1-15微米之間，所述絨面的反射率在5%~25%之間。

優選地，所述P型襯底的方塊電阻在50至140歐姆/□之間。

優選地，所述超薄遂穿SiO2層厚度為在1~30納米之間。

優選地，所述SiO2層的厚度在1到10納米之間。

優選地，所述透明導電層為ITO層或IWO層。

進一步的，所述背電場層和P型襯底之間設有多個第二通孔，所述第二通孔貫穿所述超薄遂穿SiO2層和磷摻雜P型硅薄層，背電場層可以通過第二通孔抵觸P型襯底的下表面。

與現有技術比較，本實用新型的優點在于：通過增加透明導電層，可以使電池片接收陽光的受光率提高，同時因其導電特性，可以降低串聯電阻，提高太陽能電池的短路電流和填充因子。并通過優化太陽能電池中的各部分的具體尺寸與材質，使得本實用新型的太陽能電池的光電轉換效率達到最優。同時制造方法簡單易行，且與現有的制備工藝兼容，便于工業化生產。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖以及實施例對本實用新型的原理及結構進行詳細說明。