[實用新型]壓電材料薄膜的極化設備

有效

• 申請號: 201920484101.9
• 申請日: 2019-04-11
• 公開（公告）號: CN209496896U
• 公開（公告）日: 2019-10-15
• 發明（設計）人: 李志勇;陳安祿
• 申請（專利權）人: 馗鼎奈米科技股份有限公司
• 主分類號: H01L41/22
• 分類號: H01L41/22;H01L41/253
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種壓電材料薄膜的極化設備，適用以對一裝置結構的至少一壓電材料薄膜進行一極化制程，該裝置結構包含一絕緣基材以及該至少一壓電材料薄膜設于該絕緣基材的一表面的一第一部分上，其特征在于，該壓電材料薄膜的極化設備包含：

一導電載盤，其中該導電載盤包含至少一凸狀部與至少一凹陷部，該絕緣基材設于該至少一凸狀部上，且該至少一凸狀部對應位于該至少一壓電材料薄膜的下方，該至少一凹陷部對應位于該絕緣基材的該表面的一第二部分的下方；

一極化電極，設于該導電載盤的上方，且配置以朝該裝置結構的該至少一壓電材料薄膜發射多個帶電離子束；以及

一直流電源，配置以在該極化電極與該導電載盤之間形成一高電場環境。

2.根據權利要求1所述的壓電材料薄膜的極化設備，其特征在于，該至少一凸狀部的一外緣與該至少一壓電材料薄膜的一外緣對齊、或該至少一凸狀部的該外緣位于該至少一壓電材料薄膜的該外緣的范圍內。

3.根據權利要求1所述的壓電材料薄膜的極化設備，其特征在于，該裝置結構還包含至少一電子元件設于該絕緣基材的該表面的該第二部分上，該至少一凹陷部的范圍涵蓋整個該至少一電子元件。

4.根據權利要求1所述的壓電材料薄膜的極化設備，其特征在于，該導電載盤還包含：

至少一反向電極，設于該至少一凹陷部中，且配置以驅離朝該絕緣基材的該表面的該第二部分入射的所述多個帶電離子束；以及

至少一絕緣層，包覆住該至少一反向電極。

5.根據權利要求1所述的壓電材料薄膜的極化設備，其特征在于，該至少一凹陷部為未貫穿該導電載盤的至少一盲孔。

6.根據權利要求1所述的壓電材料薄膜的極化設備，其特征在于，該至少一凹陷部為貫穿該導電載盤的至少一貫穿孔。

7.根據權利要求1所述的壓電材料薄膜的極化設備，其特征在于，該至少一凹陷部的深度與寬度的比例為0.1至10。

8.根據權利要求1所述的壓電材料薄膜的極化設備，其特征在于，該至少一凹陷部的深度與寬度的比例為0.5至1。

9.根據權利要求1所述的壓電材料薄膜的極化設備，其特征在于，該裝置結構還包含至少一薄膜電極設于該絕緣基材的該表面的該第一部分與該至少一壓電材料薄膜之間，該至少一薄膜電極與該導電載盤電性耦合。

10.根據權利要求1所述的壓電材料薄膜的極化設備，其特征在于，該壓電材料薄膜的極化設備還包含一電網設于該極化電極與該裝置結構之間，其中所述多個帶電離子束經由該電網而朝該裝置結構噴射，該電網的電壓與該極化電極的電壓相同或相近。