[實用新型]直流供電過壓保護裝置有效
| 申請號: | 201920482779.3 | 申請日: | 2019-04-11 |
| 公開(公告)號: | CN209562137U | 公開(公告)日: | 2019-10-29 |
| 發明(設計)人: | 倪元敏 | 申請(專利權)人: | 重慶工業職業技術學院 |
| 主分類號: | H02H3/20 | 分類號: | H02H3/20;H02H3/05 |
| 代理公司: | 重慶項乾光宇專利代理事務所(普通合伙) 50244 | 代理人: | 高姜 |
| 地址: | 401120 重慶*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電阻 比較控制電路 過壓保護單元 過壓保護裝置 直流供電 可控硅 保險絲 繼電器 開關輸出單元 直流用電設備 本實用新型 公共連接點 控制繼電器 齊納二極管 兩級保護 壓敏電阻 用電設備 直流電壓 輸入端 通斷 電源 供電 檢測 安全 | ||
1.一種直流供電過壓保護裝置,其特征在于:包括開關輸出單元、比較控制電路以及過壓保護單元;
所述過壓保護單元包括保險絲F1、可控硅SCR1、可控硅SCR2、電阻R2、電阻R3、壓敏電阻VR、電阻R4、電阻R5、齊納二極管DW1以及繼電器;
所述保險絲F1的一端作為過壓保護單元的輸入端與直流電源連接,保險絲F1的另一端與開關輸出單元的輸入端連接,開關輸出單元的輸出端與負載連接,所述可控硅SCR1的正極連接于保險絲F1與開關輸出單元之間的公共連接點,所述可控硅SCR1的負極接地,壓敏電阻VR的一端連接于可控硅SCR1的正極,壓敏電阻VR的另一端通過電阻R3接地,壓敏電阻VR與電阻R3之間的公共連接點通過電阻R2與可控硅SCR1的控制極連接,壓敏電阻VR與電阻R3之間的公共連接點通過電容C1接地,電阻R4的一端與可控硅SCR1的正極連接,電阻R4的另一端通過電阻R5接地,電阻R4和電阻R5之間的公共連接點與齊納二極管DW1的負極連接,齊納二極管DW1的正極與可控硅SCR2的控制極連接,可控硅SCR2的負極作為過壓保護單元的控制輸出端與開關輸出單元的控制輸入端連接,可控硅SCR2的正極通過繼電器的常開開關J-K與可控硅SCR1的正極連接;
所述比較控制電路的輸入端與電阻R4和電阻R5之間的公共連接點連接,所述比較控制電路用于控制繼電器的線圈J1與電源之間的通斷。
2.根據權利要求1所述直流供電過壓保護裝置,其特征在于:所述開關輸出單元包括電阻R7、電阻R8、電容C2以及PMOS管Q2;
所述PMOS管Q2的源極作為開關輸出單元的輸入端與保險絲F1連接,PMOS管Q2的漏極作為開關輸出單元的輸出端與負載連接,所述PMOS管Q2的源極通過電阻R7與PMOS管Q2的柵極連接,PMOS管Q2的柵極通過電阻R8接地,PMOS管Q2的源極通過電容C2接地。
3.根據權利要求1所述直流供電過壓保護裝置,其特征在于:所述比較控制電路包括電阻R6、電阻R1、三極管Q1、二極管D1、單片機、比較器U1、電阻R9、電阻R10、電阻R11、電阻R12、三極管Q3以及光耦G1;
所述電阻R6的一端與電阻R4和電阻R5之間的公共連接點連接,電阻R6的另一端與比較器U1的反相端連接,電阻R9的一端與電源VCC連接,電阻R9的另一端通過電阻R10接地,電阻R10和電阻R9之間的公共連接點與比較器U1的同相端連接,比較器U1的輸出端與光耦G1的發光二極管的正極連接,光耦G1的發光二極管的負極接地,光耦G1的光敏三極管的集電極通過電阻R12接電源VCC,光耦G1的光敏三極管的發射極通過繼電器的線圈J1接地,比較器U1的輸出端通過電阻R11與三極管Q3的基極連接,三極管Q3的發射極接地,三極管Q3的集電極與單片機的控制輸入端連接,單片機的控制輸出端與三極管Q1的基極連接,三極管Q1的集電極與電源VCC連接,三極管Q1的發射極通過電阻R1接地,三極管Q1的發射極與二極管D1的正極連接,二極管D1的負極與可控硅SCR1的控制極連接。
4.根據權利要求3所述直流供電過壓保護裝置,其特征在于:所述比較控制電路還包括發光二極管LED,發光二極管LED的正極與光耦G1的光敏三極管的發射極連接,發光二極管LED的負極接地。
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