[實用新型]磁性隨機存儲器有效
| 申請號： | 201920477730.9 | 申請日： | 2019-04-10 |
| 公開（公告）號： | CN209658233U | 公開（公告）日： | 2019-11-19 |
| 發明（設計）人： | 平爾萱;朱一明 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L43/08 | 分類號： | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 31294 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人： | 孫佳胤;董琳<國際申請>=<國際公布>= |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 磁性隨機存儲器 磁性存儲單元 磁性存儲層 存取晶體管 導電接觸 基底表面 存儲層 磁性隧道結 基底 垂直貫穿 溝道區 堆疊 兩層 漏極 環繞 | ||
1.一種磁性隨機存儲器，其特征在于，包括：
基底，所述基底表面形成有導電接觸墊；
位于所述基底表面的磁性存儲層，所述磁性存儲層包括位于基底表面堆疊的至少兩層子存儲層，所述磁性存儲層內包括垂直貫穿各子存儲層的與所述導電接觸墊連接的多個磁性存儲單元，所述磁性存儲單元包括磁性隧道結，每一子存儲層內包括至少一個磁性隧道結；
所述基底內形成有多個存取晶體管，與所述磁性存儲單元一一對應連接，所述存取晶體管的柵極環繞溝道區設置，所述存取晶體管的漏極連接至所述導電接觸墊。
2.根據權利要求1所述的磁性隨機存儲器，其特征在于，所述多個磁性存儲單元的磁性隧道結隨機排布于各子存儲層內。
3.根據權利要求1所述的磁性隨機存儲器，其特征在于，相鄰磁性存儲單元的磁性隧道結分別位于不同的子存儲層內。
4.根據權利要求1所述的磁性隨機存儲器，其特征在于，各子存儲層內的磁性隧道結以隨機形式或陣列形式排布。
5.根據權利要求1所述的磁性隨機存儲器，其特征在于，同一子存儲層內，至少部分相鄰磁性隧道結之間的間距大于磁性隨機存儲單元之間的最小間距。
6.根據權利要求1所述的磁性隨機存儲器，其特征在于，所述磁性存儲層內，相鄰磁性存儲單元之間的間距為a；同一子存儲層內，相鄰磁性隧道結之間的最小間距為n為所述磁性存儲層內的子存儲層的層數。
7.根據權利要求1所述的磁性隨機存儲器，其特征在于，各磁性存儲單元還包括導電柱，所述導電柱位于所在磁性存儲單元內的磁性隧道結上和/或下方的子存儲層內，與所述磁性隧道結電連接。
8.根據權利要求1所述的磁性隨機存儲器，其特征在于，所述基底包括襯底及覆蓋所述襯底表面的介質層，所述存取晶體管形成于所述襯底表面，包括自襯底表面豎直向上排列的源極、溝道區、漏極以及環繞所述溝道區設置的柵極、位于所述柵極與所述溝道區之間的柵介質層。
9.根據權利要求1所述的磁性隨機存儲器，其特征在于，所述存取晶體管位于所述磁性存儲單元正下方。
10.根據權利要求1所述的磁性隨機存儲器，其特征在于，所述存取晶體管包括鰭式場效應晶體管、平面型環繞柵晶體管以及豎直型環柵晶體管中的至少一種。
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