[實(shí)用新型]一種顯示面板和顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201920460774.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-04-04 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN209843712U | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-12-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 卓恩宗;韋超 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 惠科股份有限公司;滁州惠科光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146 |
| 代理公司: | 44240 深圳市百瑞專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) | 代理人: | 邢濤 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區(qū)石巖街道水田村民*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示區(qū) 顯示面板 第一開(kāi)關(guān) 氧化銦鎵鋅 第一基板 非顯示區(qū) 感光電流 開(kāi)關(guān)形成 像素 源層 讀取 待檢測(cè)光 開(kāi)關(guān)電性 顯示裝置 像素設(shè)置 耦合 開(kāi)口率 觸控 減小 外圍 檢測(cè) 申請(qǐng) | ||
本申請(qǐng)公開(kāi)了一種顯示面板和顯示裝置,顯示面板劃分為顯示區(qū)和非顯示區(qū),非顯示區(qū)位于所述顯示區(qū)外圍,顯示面板包括第一基板,第一基板包括:像素、第一開(kāi)關(guān)、第二開(kāi)關(guān)和第三開(kāi)關(guān);像素設(shè)置在所述顯示區(qū);第一開(kāi)關(guān)形成在顯示區(qū)上,耦合于所述像素;第二開(kāi)關(guān)形成在顯示區(qū)上,檢測(cè)待檢測(cè)光的強(qiáng)度,并產(chǎn)生感光電流;第三開(kāi)關(guān)形成在顯示區(qū)上,與第二開(kāi)關(guān)電性連接,讀取第二開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的感光電流;其中,第一開(kāi)關(guān)、第二開(kāi)關(guān)、和第三開(kāi)關(guān)的有源層均采用氧化銦鎵鋅材料制成。第一開(kāi)關(guān)、第二開(kāi)關(guān)、和第三開(kāi)關(guān)的有源層均采用氧化銦鎵鋅材料制成,減小了觸控型顯示面板的開(kāi)口率,增加顯示面板的性能。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種顯示面板和顯示裝置。
背景技術(shù)
薄膜晶體管液晶顯示面板(Thin Film Transistor-LCD,TFT-LCD) 近年來(lái)得到了飛速地發(fā)展和廣泛地應(yīng)用。就主流市場(chǎng)上的TFT-LCD顯示面板而言,一般包括陣列基板和彩膜基板,在陣列基板上形成薄膜晶體管,薄膜晶體管控制像素電極的開(kāi)關(guān),薄膜晶體管打開(kāi)時(shí),像素電極產(chǎn)生電壓,使得液晶分子發(fā)生偏轉(zhuǎn),顯示畫(huà)面;薄膜晶體管的有源層材料分為非晶硅薄膜晶體管、低溫多晶硅(LTPS)薄膜晶體管和氧化物有源層薄膜晶體管。
為了實(shí)現(xiàn)觸控功能等,顯示面板需要設(shè)置感光元件,但是感光元件的設(shè)置使得顯示面板的開(kāi)口率低,影響顯示面板的性能。
實(shí)用新型內(nèi)容
本申請(qǐng)的目的是提供一種顯示面板和顯示裝置,提高顯示面板的開(kāi)口率,增加顯示面板的性能。
本申請(qǐng)公開(kāi)了一種顯示面板,劃分為顯示區(qū)和非顯示區(qū),所述非顯示區(qū)設(shè)置在所述顯示區(qū)外圍,所述顯示面板包括第一基板,所述第一基板包括:像素、第一開(kāi)關(guān)、第二開(kāi)關(guān)和第三開(kāi)關(guān);所述像素設(shè)置在所述顯示區(qū);所述第一開(kāi)關(guān)形成在所述顯示區(qū)上,耦合于所述像素;所述第二開(kāi)關(guān)形成在所述顯示區(qū)上,檢測(cè)待檢測(cè)光的強(qiáng)度,并產(chǎn)生感光電流;所述第三開(kāi)關(guān)形成在所述顯示區(qū)上,與所述第二開(kāi)關(guān)電性連接,讀取所述第二開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的感光電流;其中,所述第一開(kāi)關(guān)、第二開(kāi)關(guān)、和第三開(kāi)關(guān)的有源層均采用氧化銦鎵鋅材料制成。
可選的,所述第一開(kāi)關(guān)包括依次形成的第一柵極層、第一層間絕緣層、由所述氧化銦鎵鋅材料制成的第一有源層、第一源極層、第一漏極層、第一保護(hù)層和第一平坦層;所述第二開(kāi)關(guān)包括依次形成的第二柵極層、第二層間絕緣層、由所述氧化銦鎵鋅材料制成的第二有源層、第二源極層、第二漏極層、第二保護(hù)層和第二平坦層;所述第三開(kāi)關(guān)包括依次形成的第三柵極層、第三層間絕緣層、由所述氧化銦鎵鋅材料制成的第三有源層、第三源極層、第三漏極層、第三保護(hù)層和第三平坦層;所述第一有源層、第二有源層和第三有源層通過(guò)同一制程形成。
可選的,所述第一基板還包括襯底和第四開(kāi)關(guān),所述第四開(kāi)關(guān)包括依次形成在襯底上的緩沖層、第四有源層、柵極絕緣層、第四柵極層、第四層間絕緣層、第四源極層、第四漏極層、第四保護(hù)層和第四平坦層;所述第四柵極層、第一柵極層、第二柵極層和第三柵極層通過(guò)同一制程形成。
可選的,所述第一層間絕緣層、第二層間絕緣層、第三層間絕緣層和第四層間絕緣層通過(guò)同一制程形成;所述第一源極層、第一漏極層、第二源極層、第二漏極層、第三源極層、第三漏極層和第四源極層、第四漏極層通過(guò)同一制程形成;所述第一保護(hù)層、第二保護(hù)層、第三保護(hù)層和第四保護(hù)層通過(guò)同一制程形成;所述第一平坦層、第二平坦層、第三平坦層和第四平坦層通過(guò)同一制程形成。
可選的,所述第四有源層采用低溫多晶硅材料制成。
可選的,所述第四有源層包括本征層、以所述本征層為中心對(duì)稱設(shè)置的兩個(gè)第一摻雜層,并與所述本征層連接;以及以所述本征層為中心對(duì)稱設(shè)置的兩個(gè)第二摻雜層,與所述本征層間隔設(shè)置,連接所述第一摻雜層;其中,所述第四源極層和第四漏極層通過(guò)所述第四層間介質(zhì)層的過(guò)孔連接所述第二摻雜層。
可選的,所述顯示面板包括遮光層,所述遮光層對(duì)應(yīng)所述第二開(kāi)關(guān)的第二有源層設(shè)置有鏤空部。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





