[實用新型]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201920458860.8
• 申請日: 2019-04-04
• 公開（公告）號: CN209981168U
• 公開（公告）日: 2020-01-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 董鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033
• 代理公司: 31260 上海晨皓知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 成麗杰

本實用新型涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：基底以及位于所述基底上的若干分立的犧牲層；位于所述犧牲層側(cè)壁表面的緩沖層，所述緩沖層的材料含有有機(jī)基團(tuán)以及無機(jī)成分；位于所述緩沖層表面的側(cè)墻層，且所述緩沖層位于所述側(cè)墻層與所述犧牲層之間。本實用新型能夠改善自對準(zhǔn)圖形的圖形質(zhì)量，提高半導(dǎo)體生產(chǎn)良率。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體技術(shù)在摩爾定律的驅(qū)動下持續(xù)地朝更小的工藝節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步，器件的功能不斷強(qiáng)大，半導(dǎo)體制造難度也與日俱增。光刻技術(shù)是半導(dǎo)體制造工藝中最為關(guān)鍵的生產(chǎn)技術(shù)，隨著半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)的不斷減小，現(xiàn)有的光刻技術(shù)已經(jīng)無法滿足半導(dǎo)體制造的需求。

雙重圖形化(DP：Double-Patterning)技術(shù)甚至多重圖形化技術(shù)成為了業(yè)界的最佳選擇之一，雙重圖形化技術(shù)只需要對現(xiàn)有的光刻基礎(chǔ)設(shè)施進(jìn)行很小的改動，就可以有效地填補(bǔ)更小節(jié)點(diǎn)的光刻技術(shù)空白，改進(jìn)相鄰半導(dǎo)體圖形之間的最小間距(pitch)。雙重圖形化技術(shù)的原理是將一套高密度的圖形分解成兩套分立的、密度低一些的圖形，然后將它們制備到晶圓上。現(xiàn)有技術(shù)的雙重圖形化技術(shù)主要有：自對準(zhǔn)雙重圖形化(SADP：Self-Aligned Double-Patterning)、二次光刻和刻蝕工藝(LELE：Litho-Eth-Litho-Eth)。

然而，現(xiàn)有技術(shù)形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能仍有待提高。

實用新型內(nèi)容

本實用新型實施例解決的技術(shù)問題為提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，改善自對準(zhǔn)圖形化的圖形質(zhì)量，提高生產(chǎn)良率。

為解決上述技術(shù)問題，本實用新型實施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：基底以及位于所述基底上的若干分立的犧牲層；位于所述犧牲層側(cè)壁表面的緩沖層，所述緩沖層的材料含有有機(jī)基團(tuán)以及無機(jī)成分；位于所述緩沖層表面的側(cè)墻層，且所述緩沖層位于所述側(cè)墻層與所述犧牲層之間。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型實施例提供的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本實用新型實施例提供一種結(jié)構(gòu)性能優(yōu)越的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，在犧牲層與側(cè)墻層之間設(shè)置有緩沖層，且緩沖層的材料中具有有機(jī)基團(tuán)以及無機(jī)成分，有機(jī)基團(tuán)與犧牲層材料之間具有相容性，使得緩沖層與犧牲層之間的界面不僅具有良好的結(jié)合作用且界面處的應(yīng)力小；緩沖層中的無機(jī)成分與側(cè)墻層之間通過化學(xué)鍵結(jié)合，且緩沖層與側(cè)墻層之間的應(yīng)力也相對較小。并且，由于緩沖層位于所述犧牲層與側(cè)墻層之間，避免了犧牲層與側(cè)墻層直接接觸而造成的界面應(yīng)力大的問題。由此，后續(xù)在去除犧牲層后，避免了由于應(yīng)力而造成的側(cè)墻層發(fā)生傾斜或者倒塌的問題，使得側(cè)墻層的圖形形貌能夠保持不變，從而提高自對準(zhǔn)圖形化的圖形質(zhì)量，提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)良率。

附圖說明

一個或多個實施例通過與之對應(yīng)的附圖中的圖片進(jìn)行示例性說明，這些示例性說明并不構(gòu)成對實施例的限定，附圖中具有相同參考數(shù)字標(biāo)號的元件表示為類似的元件，除非有特別申明，附圖中的圖不構(gòu)成比例限制。

圖1至圖4為一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法各步驟對應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5至圖13為本實用新型實施例提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法各步驟對應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

由背景技術(shù)可知，現(xiàn)有形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能存在需要改進(jìn)的地方。

現(xiàn)結(jié)合一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法進(jìn)行分析，圖1至圖4為一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法各步驟對應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

參考圖1，提供基底100，在所述基底100上形成若干分立的犧牲層101。

參考圖2，在所述犧牲層101頂部和側(cè)壁、以及所述基底上形成側(cè)墻膜102，所述側(cè)墻膜102保型覆蓋所述犧牲層101。