[實用新型]光電子裝置及其陣列

有效

• 申請號: 201920454266.1
• 申請日: 2019-04-04
• 公開（公告）號: CN210864104U
• 公開（公告）日: 2020-06-26
• 發明（設計）人: A.J.齊爾基;A.麥基;P.斯里尼瓦桑
• 申請（專利權）人: 洛克利光子有限公司;復合半導體技術環球有限公司
• 主分類號: G02B6/125
• 分類號: G02B6/125;G02B6/122
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 俞華梁;閆小龍

1.一種光電子裝置，其特征在于，所述光電子裝置包括：

光學活性區域，所述光學活性區域具有用于在所述光學活性區域上施加電場的電極布置；

第一彎曲波導，所述第一彎曲波導被布置成引導光進入所述光學活性區域中；以及

第二彎曲波導，所述第二彎曲波導被布置成引導光離開所述光學活性區域；

其中所述第一彎曲波導和所述第二彎曲波導由帶隙不同于所述光學活性區域的帶隙的材料形成，并且其中由所述第一彎曲波導、所述光學活性區域和所述第二彎曲波導形成的總引導路徑是U形的。

2.根據權利要求1所述的光電子裝置，其特征在于，所述第一彎曲波導和/或所述第二彎曲波導形成為量子阱互混或再生長波導。

3.根據權利要求2所述的光電子裝置，其特征在于，所述第一彎曲波導與所述第二彎曲波導之間的最大距離不大于250μm。

4.根據權利要求3所述的光電子裝置，其特征在于，所述第一彎曲波導和/或所述第二彎曲波導的曲率半徑小于100μm。

5.根據權利要求4所述的光電子裝置，其特征在于，所述第一彎曲波導和所述第二彎曲波導各自彎曲90°的角度。

6.根據權利要求5所述的光電子裝置，其特征在于，所述電極布置還包括第一電極和第二電極，所述電極安置在所述光學活性區域的第一側上并且電連接到所述光學活性區域。

7.根據權利要求6所述的光電子裝置，其特征在于，所述第一電極是信號電極，并且所述第二電極是接地電極。

8.根據權利要求7所述的光電子裝置，其特征在于，所述光電子裝置還包括第三電極，所述第三電極是第二接地電極。

9.根據權利要求8所述的光電子裝置，其特征在于，所述光電子裝置被配置成作為電吸收調制器操作。

10.根據權利要求9所述的光電子裝置，其特征在于，所述第一彎曲波導和所述第二彎曲波導是低損耗無源波導。

11.根據權利要求10所述的光電子裝置，其特征在于，所述第一彎曲波導和/或所述第二彎曲波導是深刻蝕波導。

12.根據權利要求11所述的光電子裝置，其特征在于，所述深刻蝕波導由磷化銦形成。

13.根據權利要求12所述的光電子裝置，其特征在于，所述光電子裝置還包括：

輸入波導，所述輸入波導耦合到所述第一彎曲波導或作為所述第一彎曲波導的延續部分提供；以及

輸出波導，所述輸出波導耦合到所述第二彎曲波導或作為所述第二彎曲波導的延續部分提供；

其中所述輸入波導和所述輸出波導中的每一者具有鄰近于所述光電子裝置的第一邊緣的末端。

14.根據權利要求13所述的光電子裝置，其特征在于，所述第一電極和所述第二電極鄰近于所述光電子裝置的不同于所述第一邊緣的邊緣而安置。

15.根據權利要求1-12中任一項所述的光電子裝置，其特征在于，所述光電子裝置還包括：分布反饋激光器，所述分布反饋激光器耦合到所述第一彎曲波導；以及

輸出波導，所述輸出波導耦合到所述第二彎曲波導或作為所述第二彎曲波導的延續部分提供；

使得所述光電子裝置是電吸收調制激光器。

16.根據權利要求15所述的光電子裝置，其特征在于，所述分布反饋激光器由帶隙與所述光學活性區域的帶隙相同的材料形成。