[實(shí)用新型]絕緣柵雙極型晶體管以及電子設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201920447809.7
• 申請日: 2019-04-03
• 公開（公告）號: CN209592045U
• 公開（公告）日: 2019-11-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 秦博;肖秀光
• 申請（專利權(quán)）人: 比亞迪股份有限公司;深圳比亞迪微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06
• 代理公司: 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 趙天月

1.一種絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，包括：

集電區(qū)、漂移區(qū)和基區(qū)，所述漂移區(qū)靠近所述集電區(qū)，且所述基區(qū)位于所述漂移區(qū)遠(yuǎn)離所述集電區(qū)的一側(cè)；

發(fā)射區(qū)，所述發(fā)射區(qū)位于所述基區(qū)在遠(yuǎn)離所述漂移區(qū)的一側(cè)；

柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)位于所述基區(qū)遠(yuǎn)離所述漂移區(qū)的一側(cè)，覆蓋所述基區(qū)的部分表面且與所述發(fā)射區(qū)相接觸；

發(fā)射電極，所述發(fā)射電極位于所述柵極結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述基區(qū)的一側(cè)，且與所述柵極結(jié)構(gòu)絕緣設(shè)置，并與所述基區(qū)相接觸，

電阻層，所述電阻層位于所述基區(qū)遠(yuǎn)離所述漂移區(qū)的一側(cè)，所述電阻層與所述發(fā)射電極、所述發(fā)射區(qū)和所述基區(qū)接觸，并與所述柵極結(jié)構(gòu)之間絕緣設(shè)置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)為多晶硅柵，所述電阻層包括多晶硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述電阻層位于所述柵極結(jié)構(gòu)以及所述發(fā)射區(qū)之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述電阻層覆蓋所述發(fā)射區(qū)的部分表面，并且覆蓋所述基區(qū)與所述發(fā)射區(qū)相鄰的部分。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，進(jìn)一步包括絕緣介質(zhì)層，所述絕緣介質(zhì)層覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)以及所述電阻層，并將所述柵極結(jié)構(gòu)以及所述電阻層間隔開。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述發(fā)射電極覆蓋所述絕緣介質(zhì)層，并與所述電阻層的側(cè)壁相接觸。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，進(jìn)一步包括集電極，所述集電極位于所述集電區(qū)遠(yuǎn)離所述漂移區(qū)的一側(cè)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，進(jìn)一步包括場終止層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述電阻層的阻值，大于所述基區(qū)電阻的阻值。

10.一種電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備包括權(quán)利要求1-9任一項所述的絕緣柵雙極型晶體管。