[實(shí)用新型]雙向功率器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201920446931.2
• 申請(qǐng)日: 2019-04-03
• 公開（公告）號(hào): CN210224039U
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張邵華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 杭州士蘭微電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;岳丹丹

1.一種雙向功率器件，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體層；

位于半導(dǎo)體層中的溝槽；

位于所述溝槽側(cè)壁上的柵介質(zhì)層；

位于所述溝槽下部的控制柵；以及

位于所述半導(dǎo)體層中且鄰近所述控制柵的溝道區(qū)；

其中，所述控制柵與所述半導(dǎo)體層之間由所述柵介質(zhì)層隔開。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙向功率器件，其特征在于，還包括：位于所述溝槽上部的屏蔽柵。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙向功率器件，其特征在于，還包括：位于所述控制柵和所述屏蔽柵之間的隔離層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的雙向功率器件，其特征在于，所述屏蔽柵的長(zhǎng)度為0.6～1.2um。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙向功率器件，其特征在于，所述控制柵和所述屏蔽柵彼此接觸。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙向功率器件，其特征在于，所述屏蔽柵的長(zhǎng)度為0.4～0.8um。

7.根據(jù)權(quán)利要求2-6中任一項(xiàng)所述的雙向功率器件，其特征在于，還包括：位于溝槽側(cè)壁上的屏蔽介質(zhì)層，所述屏蔽柵與所述半導(dǎo)體層之間由所述屏蔽介質(zhì)層隔開。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的雙向功率器件，其特征在于，所述屏蔽介質(zhì)層的厚度為0.1～0.25um。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的雙向功率器件，其特征在于，所述屏蔽介質(zhì)層的厚度大于或等于所述柵介質(zhì)層的厚度。

10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙向功率器件，其特征在于，所述控制柵的寬度大于所述屏蔽柵的寬度。

11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的雙向功率器件，其特征在于，還包括：位于所述半導(dǎo)體層中且鄰近所述屏蔽柵的源區(qū)和漏區(qū)，所述源區(qū)和漏區(qū)從所述半導(dǎo)體層的第一表面延伸至與所述控制柵交疊。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的雙向功率器件，其特征在于，所述源區(qū)和漏區(qū)的長(zhǎng)度大于所述屏蔽柵和所述隔離層的長(zhǎng)度之和，小于所述屏蔽柵、所述隔離層以及所述控制柵的長(zhǎng)度之和。

13.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙向功率器件，其特征在于，還包括：位于所述半導(dǎo)體層中且鄰近所述屏蔽柵的源區(qū)和漏區(qū)，所述源區(qū)和漏區(qū)從所述半導(dǎo)體層的第一表面延伸至與所述控制柵交疊。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的雙向功率器件，其特征在于，所述源區(qū)和漏區(qū)的長(zhǎng)度大于所述屏蔽柵的長(zhǎng)度，小于所述屏蔽柵以及所述控制柵的長(zhǎng)度之和。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙向功率器件，其特征在于，還包括：位于所述溝槽上部的分壓介質(zhì)層。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的雙向功率器件，其特征在于，還包括：位于所述半導(dǎo)體層中且鄰近所述分壓介質(zhì)層的源區(qū)和漏區(qū)，所述源區(qū)和漏區(qū)從所述半導(dǎo)體層的第一表面延伸至與所述控制柵交疊。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的雙向功率器件，其特征在于，所述分壓介質(zhì)層的長(zhǎng)度大于0.3um。

18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的雙向功率器件，其特征在于，所述源區(qū)和漏區(qū)的長(zhǎng)度大于所述分壓介質(zhì)層的長(zhǎng)度，小于所述分壓介質(zhì)層和所述控制柵的長(zhǎng)度。

19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙向功率器件，其特征在于，所述控制柵從所述半導(dǎo)體層的第一表面延伸至所述溝槽下部。