[實用新型]半導體互連結構

有效

• 申請號: 201920441995.3
• 申請日: 2019-04-02
• 公開（公告）號: CN210015848U
• 公開（公告）日: 2020-02-04
• 發明（設計）人: 吳秉桓
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/48
• 代理公司: 11438 北京律智知識產權代理有限公司
• 代理人: 袁禮君;闞梓瑄

1.一種半導體互連結構，其特征在于，包括：

第一半導體結構，上表面為第一介質層，所述第一介質層包括第一導電結構；

第二半導體結構，鍵合于所述第一介質層，上表面為第二介質層；

第二導電結構，位于所述第二介質層；

第三導電結構，經過所述第一介質層和所述第二半導體結構，下表面連接于所述第一導電結構，上表面連接于所述第二導電結構；

其中，所述第二導電結構和所述第三導電結構通過同一次導電材料填充制程形成。

2.如權利要求1所述的半導體互連結構，其特征在于，所述第二導電結構和所述第三導電結構的制作過程包括：

通過第一光刻制程在所述第二介質層上蝕刻導線溝槽；

通過第二光刻制程在所述導線溝槽的下表面蝕刻垂直通孔，使所述垂直通孔經過所述第二半導體結構和所述第一介質層，底部露出所述第一導電結構；

一次性填充導電材料至所述導線溝槽和所述垂直通孔，以一次性形成所述第二導電結構和所述第三導電結構。

3.如權利要求1所述的半導體互連結構，其特征在于，所述第二導電結構和所述第三導電結構的制作過程包括：

通過第一光刻制程在所述第二半導體結構和所述第一介質層中蝕刻垂直通孔，使所述垂直通孔的底部露出所述第一導電結構；

通過第二光刻制程在所述第二介質層上蝕刻導線溝槽；

一次性填充導電材料至所述導線溝槽和所述垂直通孔，以一次性形成所述第二導電結構和所述第三導電結構。

4.如權利要求2或3所述的半導體互連結構，其特征在于，所述垂直通孔與所述導線溝槽的連接處包括第一倒角和第二倒角。

5.如權利要求1所述的半導體互連結構，其特征在于，所述第一導電結構為焊盤，所述第二導電結構為導線。

6.如權利要求1所述的半導體互連結構，其特征在于，所述第一導電結構和所述第二導電結構均為導線。

7.如權利要求1所述的半導體互連結構，其特征在于，所述第一半導體結構包括交替層疊的多個介質層與多層晶圓。

8.如權利要求1或7所述的半導體互連結構，其特征在于，所述第二半導體結構包括交替層疊的多個介質層與多層晶圓。

9.如權利要求3所述的半導體互連結構，其特征在于，所述在所述第二介質層上蝕刻導線溝槽包括：

通過濕法蝕刻制程蝕刻所述導線溝槽，并控制蝕刻參數以在所述垂直通孔和所述導線溝槽的連接處蝕刻出第一倒角和第二倒角。

10.如權利要求1所述的半導體互連結構，其特征在于，所述第一導電結構、所述第二導電結構、所述第三導電結構的導體材料相同。