[實用新型]四階交叉耦合陶瓷電介質濾波器有效
| 申請號: | 201920390088.0 | 申請日: | 2019-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN209626392U | 公開(公告)日: | 2019-11-12 |
| 發明(設計)人: | 劉亞東 | 申請(專利權)人: | 蘇州捷頻電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01P1/20 | 分類號: | H01P1/20 |
| 代理公司: | 蘇州市中南偉業知識產權代理事務所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 馮瑞 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 局部導體 濾波器 貫通孔 電路 陶瓷電介質 交叉耦合 介質塊 四階 介質塊外表面 本實用新型 延伸導體 耦合導體 耦合 帶外抑制 連接電路 內導體層 外導體層 相鄰電路 軸線方向 短路面 開放面 連體式 內表面 頻段 面形 頻點 通帶 平行 延伸 開放 | ||
本實用新型公開了一種四階交叉耦合陶瓷電介質濾波器,包括介質塊,介質塊上設有四個貫通孔;每個貫通孔的內表面均設有內導體層,平行于貫通孔軸線方向的介質塊外表面設有外導體層;貫通孔一端所在介質塊外表面設有短路面,其另一端所在介質塊外表面形成開放面,開放面上設有電路局部導體層一、電路局部導體層二、電路局部導體層三、電路局部導體層四、耦合延伸導體層和耦合導體層;耦合延伸導體層連接電路局部導體層一和電路局部導體層四;耦合導體層延伸至兩個相鄰電路局部導體層之間。本實用新型的四階交叉耦合陶瓷電介質濾波器,能夠改善通帶外低頻側和高頻側的抑制特性,滿足連體式濾波器在特定頻點或者特定頻段的較高帶外抑制要求。
技術領域
本實用新型涉及無線移動通信基站、直放站等設備上使用的陶瓷電介質濾波器,具體涉及一種能夠改善通帶外低頻側和高頻側抑制特性的四階交叉耦合陶瓷電介質濾波器。
背景技術
如圖1~2所示,現有技術中,四階連體式陶瓷電介質濾波器具有由陶瓷材料成型的一體式介質塊,在該介質塊上同方向開設有四個貫通孔,每個貫通孔均構成一個諧振腔。在該介質塊的上、下、左、右四個平整的外表面上通過鍍銀形成外導體層,在每個貫通孔的內表面上通過鍍銀形成內導體層。在該介質塊的后端外表面上鍍銀形成短路面,短路面使貫通孔內的內導體層與介質塊上的外導體層電連接,介質塊的前端外表面作為開放面,該開放面上對應每個貫通孔均通過鍍銀形成電路局部導體層;在該介質的下表面上通過兩個條狀結構的絕緣區域隔斷形成信號輸入端子和信號輸出端子。該四階連體式陶瓷電介質濾波器應用在基站或者直放站等設備上時,通過信號輸入端子和信號輸出端子與基站、直放站的接收電路和發射電路連接。
以上,現有技術中常用的四階連體式陶瓷電介質濾波器,對于帶外抑制有較高要求時不容易滿足。以往為了提高帶外抑制性能,通常需要在介質塊外側局部加裝金屬屏蔽罩來改善帶外抑制性能,在一些特殊要求中,即使采用這種外接屏蔽措施,特定頻點的帶外抑制改善效果仍不理想。
發明內容
本實用新型要解決的技術問題是提供一種四階交叉耦合陶瓷電介質濾波器,能夠改善四階陶瓷電介質濾波器通帶外低頻側和高頻側的抑制特性,滿足連體式濾波器在特定頻點或者特定頻段的較高帶外抑制要求。
為了解決上述技術問題,本實用新型提供了一種四階交叉耦合陶瓷電介質濾波器,包括由陶瓷材料成型的一體式介質塊,所述介質塊上開設有四個貫通孔,所述四個貫通孔的軸線平行、并列;每個所述貫通孔的內表面均設有金屬鍍層形成內導體層,平行于貫通孔軸線方向的介質塊外表面設有金屬鍍層形成外導體層;所述貫通孔其中一端所在的介質塊外表面設有金屬鍍層形成短路面,所述內導體層和外導體層通過該短路面導電連接;所述貫通孔另一端所在的介質塊外表面形成開放面,所述開放面上對應每個貫通孔均設有電路局部導體層,分別為電路局部導體層一、電路局部導體層二、電路局部導體層三和電路局部導體層四;所述介質塊上形成外導體層的外表面設有兩個絕緣部,所述兩個絕緣部將其所在外表面的外導體層隔斷形成信號輸入端子和信號輸出端子;所述開放面上設有耦合延伸導體層和耦合導體層;所述耦合延伸導體層與外導體層之間具有絕緣間隙,所述耦合延伸導體層連接電路局部導體層一和電路局部導體層四,所述耦合延伸導體層與電路局部導體層二、電路局部導體層三之間均具有絕緣間隙;所述耦合導體層具有均與外導體層導電連接的兩組,其中一組所述耦合導體層延伸至兩個相鄰電路局部導體層之間;另一組所述耦合導體層延伸至另一組兩個相鄰電路局部導體層之間;所述耦合導體層與電路局部導體層一、電路局部導體層二、電路局部導體層三和電路局部導體層四之間均具有絕緣間隙。
本實用新型一個較佳實施例中,進一步包括所述一組耦合導體層延伸至電路局部導體層一和電路局部導體層二之間,另一組耦合導體層延伸至電路局部導體層三和電路局部導體層四之間。
本實用新型一個較佳實施例中,進一步包括所述一組耦合導體層延伸至電路局部導體層一和電路局部導體層二之間,另一組耦合導體層延伸至電路局部導體層二和電路局部導體層三之間。
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