[實用新型]一種LED光源有效
| 申請號: | 201920389066.2 | 申請日: | 2019-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN209785931U | 公開(公告)日: | 2019-12-13 |
| 發明(設計)人: | 陳琰表;蔣洪奎;王其遠;陳慧武 | 申請(專利權)人: | 漳州立達信燈具有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/075 | 分類號: | H01L25/075;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/36 |
| 代理公司: | 44414 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 | 代理人: | 王善娜 |
| 地址: | 363000 福建省漳州*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光結構 襯底 半導體層 量子阱層 隔離層 本實用新型 發光波長 隔離 照明技術領域 發光顏色 混光均勻 區域設置 依次層疊 發光 驅動 | ||
本實用新型適用于照明技術領域,提供了一種LED光源,包括襯底、多個發光結構和隔離層,襯底上包括多個區域,多個發光結構一一對應設于區域內,每一發光結構包括依次層疊于襯底上的第一半導體層、量子阱層和第二半導體層,且多個發光結構的發光波長不同,隔離層設于所述襯底上,其用于至少將多個所述發光結構隔離開來。本實用新型通過在襯底的不同區域設置發光波長不同的發光結構,且不同的發光結構由隔離層隔離開來,由此在襯底上集成了多個發光顏色不同的發光結構,整體體積較小,便于混光均勻,使用更方便;多個發光結構各自的第一半導體層、量子阱層和第二半導體層也相互隔離開來,各自對量子阱層的驅動及量子阱層的發光不會相互影響。
技術領域
本實用新型涉及照明技術領域,特別涉及一種LED光源。
背景技術
發光二極管(Light Emitting Diode,LED)被稱為第四代照明光源或綠色光源,具有節能、環保、壽命長、體積小等特點,廣泛應用于各種指示、顯示、裝飾、背光源、普通照明和城市夜景等領域。
目前有使用紅(R)光、綠(G)光和藍(B)光三個獨立的晶片進行混光以合成白光,但存在的問題是這樣的RGB光源占用面積大且混光后光斑不均勻。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種LED光源,旨在解決多個獨立晶片混光造成面積大且混光不均勻的技術問題。
本實用新型是這樣實現的,一種LED光源,包括:
襯底,包括多個區域;
多個發光結構,一一對應設于所述區域內;每一所述發光結構包括依次層疊于所述襯底上的第一半導體層、量子阱層和第二半導體層;多個所述發光結構的發光波長不同;以及
隔離層,設于所述襯底上,用于至少將多個所述發光結構隔離開來。
在一個實施例中,每一所述發光結構還包括與所述第一半導體層電連接的第一電極以及與所述第二半導體層電連接的第二電極;每一所述發光結構通過各自的第一電極和第二電極獨立驅動。
在一個實施例中,所述襯底上設有凹槽,不同所述區域內的凹槽的深度不同,所述量子阱層呈波浪狀,且多個所述量子阱層的厚度相同。
在一個實施例中,所述凹槽的深度為30微米~50微米;所述凹槽的寬度為30微米~50微米;每一所述區域內相鄰兩個所述凹槽之間的距離為240微米~260微米。
在一個實施例中,所述量子阱層包括至少一個阱層和至少一個壘層,所述阱層與所述壘層依次交錯層疊;每一所述發光結構的所述阱層的厚度相同,不同所述發光結構的阱層的厚度不同。
在一個實施例中,所述阱層的厚度為2納米~7納米;所述壘層的厚度為3納米~20納米。
在一個實施例中,所述阱層為InGaN層,所述壘層為GaN層;或者
所述阱層為InGaAs層,所述壘層為GaAs層;或者
所述阱層為AlGaAs層,所述壘層為GaAs層。
在一個實施例中,所述襯底包括四個區域,四個所述區域呈矩形陣列排布;四個所述發光結構發出的光的中心波長分別為470納米、520納米、595納米和625納米。
在一個實施例中,所述LED光源還包括設于所述襯底與所述第一半導體層之間的緩沖層。
在一個實施例中,所述LED光源還包括設于所述量子阱層的空穴注入一側的電子阻擋層。
本實用新型提供的LED光源,其有益效果在于:
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