[實用新型]具有三明治結構的GaN-HEMT器件

有效

• 申請號: 201920379225.0
• 申請日: 2019-03-22
• 公開（公告）號: CN209515674U
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發明（設計）人: 李國強;陳丁波;劉智崑;萬利軍
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/40;H01L29/423;H01L21/335
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 何淑珍;江裕強

1.具有三明治結構的GaN-HEMT器件，其特征在于，所述GaN-HEMT器件包括外延層和電極，所述外延層包括GaN溝道層和Al_yGa_1-yN勢壘層， y為0.2~0.3；所述GaN溝道層和Al_yGa_1-yN勢壘層自上而下排布；所述電極包括柵電極、源電極、漏電極和場板電極，場板電極和柵電極分別制作于外延層的上表面和下表面，場板電極延伸至超過外延層的區域與柵電極相連接形成三明治結構，源電極和漏電極分別位于所述外延層的兩端。

2.根據權利要求1所述的具有三明治結構的GaN-HEMT器件，其特征在于，所述溝道層的厚度為100~300 nm。

3.根據權利要求1所述的具有三明治結構的GaN-HEMT器件，其特征在于，所述Al_yGa_1-yN勢壘層的厚度為20~30 nm。

4.根據權利要求1所述的具有三明治結構的GaN-HEMT器件，其特征在于，在Al_yGa_1-yN勢壘層表面對應的源電極和漏電極區域沉積Ti/Al/Ni/Au金屬電極，制備源電極和漏電極，所述源電極和漏電極與外延層之間形成歐姆接觸。

5.根據權利要求1所述的具有三明治結構的GaN-HEMT器件，其特征在于，在Al_yGa_1-yN勢壘層表面的柵電極區域，沉積Ni/Au金屬電極，制備柵電極，所述柵電極與外延層之間形成肖特基接觸。

6.根據權利要求1所述的具有三明治結構的GaN-HEMT器件，其特征在于，在GaN溝道層的表面上和柵電極相對的位置處沉積Ni/Au金屬層，制備場板電極。

7.根據權利要求4所述的具有三明治結構的GaN-HEMT器件，其特征在于，所述Ti/Al/Ni/Au金屬電極中Ti金屬層的厚度為10~20 nm，Al金屬層的厚度為60~150 nm，Ni金屬層的厚度為30~60 nm，Au金屬層的厚度為50~100 nm。

8.根據權利要求5所述的具有三明治結構的GaN-HEMT器件，其特征在于， Ni/Au金屬電極Ni金屬層的厚度為30~100 nm，Au金屬層的厚度為50~100 nm。

9.根據權利要求6所述的具有三明治結構的GaN-HEMT器件，其特征在于，所述場板電極和柵電極連接，形成肖特基接觸。

10.根據權利要求6所述的具有三明治結構的GaN-HEMT器件，其特征在于，所述Ni/Au金屬層中Ni金屬層的厚度為50~200nm，Au金屬層的厚度為50~200nm。