[實(shí)用新型]一種基于Mg2Si半導(dǎo)體材料的存儲(chǔ)器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201920376582.1
• 申請(qǐng)日: 2019-03-22
• 公開（公告）號(hào): CN209471964U
• 公開（公告）日: 2019-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王坤;肖清泉;張晉敏;王立;賀騰;王媛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 貴州大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L27/108
• 分類號(hào): H01L27/108;H01L23/528;H01L23/532
• 代理公司: 貴陽中新專利商標(biāo)事務(wù)所 52100
• 代理人: 商小川

本實(shí)用新型公開了一種基于Mg2Si半導(dǎo)體材料的存儲(chǔ)器，它包括：Mg₂Si襯底，Mg₂Si襯底上設(shè)置有設(shè)置有第一存儲(chǔ)單元，所述第一存儲(chǔ)單元包括分區(qū)溝槽，分區(qū)溝槽邊緣處設(shè)置有Mg₂Si固定薄片，Mg₂Si固定薄片頂端設(shè)置有絕緣晶片；分區(qū)溝槽兩側(cè)分別設(shè)置有源區(qū)和漏區(qū)，分區(qū)溝槽上設(shè)置有第一絕緣鍍膜，第一絕緣鍍膜上設(shè)置有柵極區(qū)，分區(qū)溝槽內(nèi)設(shè)置有通電二極管，柵極區(qū)上設(shè)置Mg₂Si隔離層（8），Mg₂Si隔離層上設(shè)置有第二絕緣鍍膜；第二絕緣鍍膜上設(shè)置有第二存儲(chǔ)單元；解決了現(xiàn)有的導(dǎo)電栓塞很容易發(fā)生偏移，從而使得所述導(dǎo)電栓塞與所述半導(dǎo)體襯底中的有源區(qū)的有效接觸面積變小，使得所述導(dǎo)電栓塞與所述有源區(qū)的接觸電阻及所述導(dǎo)電栓塞自身的電阻較大的問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域，具體涉及一種基于Mg2Si半導(dǎo)體材料的存儲(chǔ)器。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是一種以半導(dǎo)體電路作為存儲(chǔ)媒體的存儲(chǔ)器,內(nèi)存儲(chǔ)器就是由稱為存儲(chǔ)器芯片的半導(dǎo)體集成電路組成。按其功能可分為:隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱RAM)和只讀存儲(chǔ)器(只讀ROM）。體積小、存儲(chǔ)速度快、存儲(chǔ)密度高、與邏輯電路接口容易。隨著工藝的發(fā)展，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的用于將半導(dǎo)體襯底中的功能器件與外部電連接的導(dǎo)電栓塞的尺寸越來越小，使得所述導(dǎo)電栓塞容易發(fā)生偏移，導(dǎo)電栓塞與有源區(qū)的有效接觸面積變小，譬如，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory，簡(jiǎn)稱：DRAM)是由許多重復(fù)的存儲(chǔ)單元組成。每一個(gè)存儲(chǔ)單元主要由一個(gè)晶體管與一個(gè)由晶體管所操控的電容器所構(gòu)成，每個(gè)所述晶體管包括一個(gè)柵極以及位于襯底內(nèi)的源極和漏極，源極/漏極與位線相連接，漏極/源極則通過存儲(chǔ)單元接觸(cell contact)結(jié)構(gòu)與所述電容器連接。隨著工藝的發(fā)展，所述動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的尺寸微縮，所述動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的特征尺寸、單元面積相應(yīng)減小，這就使得形成的所述導(dǎo)電栓塞很容易發(fā)生偏移，從而使得所述導(dǎo)電栓塞與所述半導(dǎo)體襯底中的有源區(qū)的有效接觸面積變小，使得所述導(dǎo)電栓塞與所述有源區(qū)的接觸電阻及所述導(dǎo)電栓塞自身的電阻較大。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提供一種基于Mg2Si半導(dǎo)體材料的存儲(chǔ)器，以解決現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的特征尺寸、單元面積相應(yīng)減小，這就使得形成的所述導(dǎo)電栓塞很容易發(fā)生偏移，從而使得所述導(dǎo)電栓塞與所述半導(dǎo)體襯底中的有源區(qū)的有效接觸面積變小，使得所述導(dǎo)電栓塞與所述有源區(qū)的接觸電阻及所述導(dǎo)電栓塞自身的電阻較大等技術(shù)問題。

本實(shí)用新型技術(shù)方案：

一種基于Mg2Si半導(dǎo)體材料的存儲(chǔ)器，它包括：Mg₂Si襯底， Mg₂Si襯底上設(shè)置有設(shè)置有第一存儲(chǔ)單元，所述第一存儲(chǔ)單元包括分區(qū)溝槽，分區(qū)溝槽邊緣處設(shè)置有Mg₂Si固定薄片，Mg₂Si固定薄片頂端設(shè)置有絕緣晶片；分區(qū)溝槽兩側(cè)分別設(shè)置有源區(qū)和漏區(qū)，分區(qū)溝槽上設(shè)置有第一絕緣鍍膜，第一絕緣鍍膜上設(shè)置有柵極區(qū)，分區(qū)溝槽內(nèi)設(shè)置有通電二極管，柵極區(qū)上設(shè)置Mg₂Si隔離層，Mg₂Si隔離層上設(shè)置有第二絕緣鍍膜；第二絕緣鍍膜上設(shè)置有第二存儲(chǔ)單元。

第二存儲(chǔ)單元與第一存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)相同，第二存儲(chǔ)單元與第一存儲(chǔ)單元相互對(duì)立設(shè)置；第二存儲(chǔ)單元上設(shè)置有Mg₂Si壓片，Mg₂Si壓片上對(duì)應(yīng)于第二存儲(chǔ)單元上柵極區(qū)同樣設(shè)置有分區(qū)溝槽。

所述第一存儲(chǔ)單元上的柵極區(qū)為選擇柵極，第二存儲(chǔ)單元上的柵極區(qū)為控制柵極。

所述通電二極管為p-n二極管，型號(hào)為FR205；通電二極管一端連接至漏區(qū)，另一端連接至保護(hù)電路。

所述Mg₂Si固定薄片的厚度為0.3mm，Mg₂Si固定薄片焊接在分區(qū)溝槽內(nèi)側(cè)。