[實(shí)用新型]一種高溫加熱塊裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201920371993.1 | 申請(qǐng)日: | 2019-03-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN210575837U | 公開(公告)日: | 2020-05-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 焦小昆 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 天津市滬津機(jī)電設(shè)備工程有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/60 | 分類號(hào): | H01L21/60;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京沁優(yōu)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11684 | 代理人: | 姚艷 |
| 地址: | 300000 天津市南開區(qū)密*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 高溫 加熱 裝置 | ||
本實(shí)用新型公開了一種高溫加熱塊裝置,涉及半導(dǎo)體引線鍵合技術(shù)領(lǐng)域,括加熱塊。加熱塊上設(shè)有固定裝置,固定裝置包括電磁鐵、彈性件、固定件、壓力傳感器、以及微處理器,電磁鐵與加熱塊固定連接,固定件設(shè)于電磁鐵上方且通過彈性件固定連接,固定件包括支撐部和固定部,壓力傳感器設(shè)置在固定部的下表面,壓力傳感器與微處理器電連接,電磁鐵連接有調(diào)整通過其電流大小的控制裝置。有益效果為:通過調(diào)整控制裝置來調(diào)大通過電磁鐵的電流,電磁鐵吸引固定件,固定件的固定部將框架固定在加熱快上。根據(jù)壓力傳感器傳輸給微處理器的數(shù)據(jù)來調(diào)整通過電磁鐵的電流,控制框架各部分與加熱塊的接觸程度一致,框架各部分受熱均勻,半導(dǎo)體引線鍵合質(zhì)量高。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體引線鍵合技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種高溫加熱塊裝置。
背景技術(shù)
導(dǎo)體封裝鍵合工藝中需要用到加熱塊裝置,引線框架放置在加熱塊裝置上通過加熱塊來吸取熱量;同時(shí)鎖定框架,防止框架在鍵合過程中出現(xiàn)位移。傳統(tǒng)的加熱塊裝置結(jié)構(gòu)較為簡單,僅包含加熱塊及一個(gè)或幾個(gè)真空孔,利用真空的吸附作用使引線框架與加熱塊之間緊密結(jié)合起來達(dá)到鎖定框架的目的。但實(shí)際作業(yè)過程中,框架本身存在一定的偏差,若偏差較大時(shí),僅依靠真空吸附作用無法使框架與加熱塊表面緊密貼合,造成框架與加熱塊間出現(xiàn)空隙,達(dá)不到鎖定框架的目的,進(jìn)而影響到鍵合工藝效果。
現(xiàn)有技術(shù)如授權(quán)公告號(hào)為CN 101882590 B的中國發(fā)明專利,公開了及一種加熱塊裝置,包括加熱塊及真空孔,加熱塊上設(shè)置有壓緊件,壓緊件分為頂部壓緊結(jié)構(gòu)、關(guān)節(jié)和末端,其中關(guān)節(jié)連接在加熱塊上,末端固定在活塞上,活塞設(shè)置在加熱塊下方的空槽中。加熱塊左、右兩邊都設(shè)置有壓緊件?;钊c加熱塊之間設(shè)置有彈簧,在抽真空狀態(tài)下,由彈簧帶動(dòng)活塞滑動(dòng),彈簧的下方、加熱塊底部開有真空孔。壓緊件的頂部壓緊結(jié)構(gòu)為向內(nèi)凹的鉤狀結(jié)構(gòu)。上述發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)中引線框架在加熱時(shí)與加熱裝置之間出現(xiàn)空隙,導(dǎo)致引線框架無法鎖定的問題。但是框架各部位的偏差是不均勻的,只采用機(jī)械的固定方式而沒有檢測(cè)框架各部位的固定程度,會(huì)導(dǎo)致框架各部位與加熱塊的接觸程度不一,最終導(dǎo)致框架受熱不均勻,影響半導(dǎo)體引線的鍵合質(zhì)量。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供了一種即可固定框架又能調(diào)整框架與加熱塊的接觸程度,保證框架受熱均勻的高溫加熱塊裝置。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型采取的技術(shù)方案為:一種高溫加熱塊裝置,包括加熱塊。加熱塊上設(shè)有固定裝置,固定裝置包括電磁鐵、彈性件、固定件、壓力傳感器、以及微處理器,電磁鐵與加熱塊固定連接,固定件設(shè)于電磁鐵上方且通過彈性件固定連接,固定件包括支撐部和固定部,壓力傳感器設(shè)置在固定部的下表面,壓力傳感器與微處理器電連接,電磁鐵連接有調(diào)整通過其電流大小的控制裝置。
作為優(yōu)選,控制裝置為可改變電流大小的電源或設(shè)置在電路中的調(diào)節(jié)器。
作為優(yōu)選,加熱塊中設(shè)有貫穿其上下表面的真空孔,加熱塊上表面設(shè)有凹槽,凹槽與真空孔不連通。
作為優(yōu)選,凹槽彎曲遍布在加熱塊上表面。
作為優(yōu)選,加熱塊上設(shè)有一個(gè)及以上固定裝置。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果為:
1、通過調(diào)整控制裝置來調(diào)大通過電磁鐵的電流,電磁鐵吸引固定件,固定件的固定部將框架固定在加熱快上。根據(jù)壓力傳感器傳輸給微處理器的數(shù)據(jù)來調(diào)整通過電磁鐵的電流,控制框架各部分與加熱塊的接觸程度一致,框架各部分受熱均勻,半導(dǎo)體引線鍵合質(zhì)量高;
2、框架與加熱塊固定好后,往凹槽中通惰性氣體,以此來保護(hù)鍵合過程中框架和焊線不被氧化。并且因固定裝置的設(shè)置,在凹槽中通惰性氣體的過程中,框架與加熱塊表面仍緊密貼合,不會(huì)影響半導(dǎo)體的鍵合;
3、凹槽與真空孔不連通的情況下,可延長惰性氣體與框架或/和焊線的接觸時(shí)間,提升惰性氣體對(duì)框架或/和焊線的保護(hù)效果。
附圖說明
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





