[實用新型]光傳感器裝置以及顯示裝置

有效

• 申請號: 201920347688.9
• 申請日: 2019-03-19
• 公開（公告）號: CN209471965U
• 公開（公告）日: 2019-10-08
• 發明（設計）人: 津吹將志;綱島貴德;鹽川真里奈
• 申請（專利權）人: 株式會社日本顯示器
• 主分類號: H01L27/144
• 分類號: H01L27/144
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳偉;閆劍平

1.一種光傳感器裝置，其特征在于，

包括受光晶體管和開關晶體管，

所述受光晶體管是使用氧化物半導體層作為溝道層的具有3端子的氧化物半導體元件，

所述開關晶體管是使用氧化物半導體層作為溝道層的具有4端子的氧化物半導體元件。

2.如權利要求1所述的光傳感器裝置，其特征在于，

所述3端子是柵極、源極以及漏極，

所述4端子是柵極、源極、漏極以及背柵。

3.如權利要求2所述的光傳感器裝置，其特征在于，

所述受光晶體管的所述柵極設于所述氧化物半導體層的下部。

4.如權利要求2或者權利要求3所述的光傳感器裝置，其特征在于，

所述開關晶體管的所述柵極設于所述氧化物半導體層的下部，

所述開關晶體管的所述背柵設于所述氧化物半導體層的上部。

5.如權利要求4所述的光傳感器裝置，其特征在于，

所述開關晶體管的所述背柵與所述開關晶體管的所述源極連接。

6.一種光傳感器裝置，其特征在于，

包括受光晶體管、第一開關晶體管、第二開關晶體管以及電容元件，

所述受光晶體管具有柵極、源極以及漏極，

所述第一開關晶體管具有柵極、源極、以及與所述受光晶體管的所述漏極連接的漏極，

所述電容元件具有與所述受光晶體管的所述漏極連接的第一端子、以及與所述第一開關晶體管的所述源極連接的第二端子，

所述第二開關晶體管具有與柵極線連接的柵極、與信號線連接的源極、以及與所述電容元件的所述第一端子連接的漏極，

所述受光晶體管、所述第一開關晶體管、以及所述第二開關晶體管各自具有氧化物半導體層作為溝道層，

所述受光晶體管、第一開關晶體管、以及所述第二開關晶體管各自的柵極分別設于所述受光晶體管、第一開關晶體管、以及所述第二開關晶體管各自的氧化物半導體層的下部或者上部中的一方，

所述第一開關晶體管以及所述第二開關晶體管各自具有背柵，

所述第一開關晶體管以及所述第二開關晶體管各自的背柵設于所述第一開關晶體管以及所述第二開關晶體管各自的氧化物半導體層的下部或者上部中的另一方。

7.如權利要求6所述的光傳感器裝置，其特征在于，

所述第一開關晶體管以及所述第二開關晶體管各自的背柵與所述第一開關晶體管以及所述第二開關晶體管各自的源極連接。

8.如權利要求6或者權利要求7所述的光傳感器裝置，其特征在于，

具有復位電路，所述復位電路包括第三開關晶體管，

所述第三開關晶體管具有柵極、與所述第一開關晶體管的所述源極連接的源極、以及與所述信號線連接的漏極，

所述第三開關晶體管具有氧化物半導體層作為溝道層，

所述第三開關晶體管的所述柵極設于所述第三開關晶體管的所述氧化物半導體層的下部或者上部中的一方，

所述第三開關晶體管具有背柵，

所述第三開關晶體管的所述背柵設于所述第三開關晶體管的所述氧化物半導體層的下部或者上部中的另一方。

9.如權利要求8所述的光傳感器裝置，其特征在于，

所述第三開關晶體管的所述背柵與所述第三開關晶體管的所述源極連接。

10.一種顯示裝置，其特征在于，

具有顯示面板，所述顯示面板具有顯示區域，

所述顯示區域具有顯示像素和光傳感器電路，

所述光傳感器電路包括受光晶體管和開關晶體管，

所述受光晶體管是使用氧化物半導體層作為溝道層的具有3端子的氧化物半導體元件，

所述開關晶體管是使用氧化物半導體層作為溝道層的具有4端子的氧化物半導體元件。