[實用新型]一種顯示面板和顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201920342375.4 | 申請日: | 2019-03-11 |
| 公開(公告)號: | CN209592042U | 公開(公告)日: | 2019-11-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉勛 | 申請(專利權(quán))人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 上海晨皓知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成麗杰 |
| 地址: | 065500 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 絕緣層 上表面 顯示面板 第二金屬層 像素電路單元 本實用新型 第一金屬層 顯示裝置 下表面 基板 公共電源線 亮度均一 顯示效果 數(shù)據(jù)線 側(cè)壁 覆蓋 | ||
1.一種顯示面板,包括基板以及設(shè)置在所述基板上的至少一個像素電路單元,其特征在于,包括:
絕緣層,所述絕緣層位于所述像素電路單元的上方,所述絕緣層具有上表面和與所述上表面相對的下表面,所述絕緣層的上表面為所述絕緣層遠(yuǎn)離所述像素電路單元的一側(cè)表面;
第一金屬層,位于所述絕緣層的上表面;
第二金屬層,位于所述絕緣層的上表面和下表面之間,所述絕緣層至少覆蓋所述第二金屬層的上表面以及所述第二金屬層的側(cè)壁;
所述第一金屬層或所述第二金屬層中的一個作為公共電源線,另一個作為數(shù)據(jù)線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述像素電路單元包括:薄膜晶體管、存儲電容和層間介質(zhì)層;
所述薄膜晶體管包括:有源層,所述有源層位于所述基板的上表面;柵極絕緣層,所述柵極絕緣層覆蓋所述有源層上表面以及包圍所述有源層的側(cè)壁;柵極,所述柵極位于所述柵極絕緣層的上表面且對應(yīng)所述有源層的位置;源極和漏極,所述源極與所述漏極分別位于所述柵極左右兩側(cè)對應(yīng)的所述有源層內(nèi);
所述存儲電容包括:下電極板,所述柵極作為所述下電極板;絕緣介質(zhì)層,所述絕緣介質(zhì)層覆蓋所述下電極板上表面以及包圍所述下電極板的側(cè)壁,所述絕緣介質(zhì)層的上表面為遠(yuǎn)離所述下電極板的表面;上電極板,所述上電極板位于所述絕緣介質(zhì)層的上表面;
所述層間介質(zhì)層位于所述絕緣層的下表面與所述柵極絕緣層之間;
所述公共電源線與所述存儲電容的上電極板電連接,所述數(shù)據(jù)線與所述薄膜晶體管的源極電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述第二金屬層作為所述公共電源線,所述第一金屬層作為所述數(shù)據(jù)線。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括:
第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu),所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)從所述絕緣層延伸至所述柵極絕緣層,所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)一端與所述第一金屬層相接觸,所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)另一端與所述薄膜晶體管的源極相接觸;
第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu),所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述層間介質(zhì)層中,所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)一端與所述第二金屬層接觸,所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)另一端與所述上電極板接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述第一金屬層作為所述公共電源線,所述第二金屬層作為所述數(shù)據(jù)線。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括:
第三導(dǎo)電結(jié)構(gòu),所述第三導(dǎo)電結(jié)構(gòu)從所述絕緣層延伸至所述層間介質(zhì)層,所述第三導(dǎo)電結(jié)構(gòu)一端與所述第一金屬層接觸,所述第三導(dǎo)電結(jié)構(gòu)另一端與所述上電極板接觸;
第四導(dǎo)電結(jié)構(gòu),所述第四導(dǎo)電結(jié)構(gòu)從所述層間介質(zhì)層延伸至所述柵極絕緣層,所述第四導(dǎo)電結(jié)構(gòu)一端與所述第二金屬層接觸,所述第四導(dǎo)電結(jié)構(gòu)另一端與所述源極相接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板,其特征在于,所述第三導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為貫穿所述絕緣層和所述層間介質(zhì)層的導(dǎo)電通孔;
或者,所述第三導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括:
第三導(dǎo)電過孔,所述第三導(dǎo)電過孔設(shè)置所述絕緣層中,所述第三導(dǎo)電過孔一端與所述第一金屬層接觸;
金屬沉淀區(qū),所述金屬沉淀區(qū)位于所述絕緣層中,所述金屬沉淀區(qū)具有上表面和與所述金屬沉淀區(qū)的上表面相對的下表面,所述金屬沉淀區(qū)的上表面與所述第三導(dǎo)電過孔接觸,所述金屬沉淀區(qū)與所述第二金屬層之間電絕緣;
第四導(dǎo)電過孔,所述第四導(dǎo)電過孔設(shè)置在所述層間介質(zhì)層中,所述第四導(dǎo)電過孔一端與所述金屬沉淀區(qū)的下表面接觸,所述第四導(dǎo)電過孔另一端與所述上電極板相接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,作為所述公共電源線的第一金屬層或第二金屬層呈網(wǎng)格結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的顯示面板,其特征在于,所述絕緣層的上表面與所述第二金屬層上表面之間的距離為0.1μm至4μm。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求1至9任一項所述的顯示面板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





